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本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶材料组分的前躯体进行淀积，以形成纳米晶材...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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