【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开通常涉及半导体集成电路，并且更具体地，涉及半导体集成电路的功率节约。
技术介绍
通常，期望集成电路以最低的可能功耗操作。 一种减小功耗的方法是降低集成电路的电源电压。 一种用于实现功率减小的已知技术是测试具有处理器的集成电路并且确定处理器的利用水平。当该处理器的利用率下降时，降低该处理器的工作频率。此外，使提供给该处理器的电压量减小预定量，这允许该处理器以更高效的方式操作。 用于实现功率减小的另一种已知技术是在测试环境中测试集成电路，该测试环境引入温度变化并且测量特定集成电路的性能。然后选择电源电压值并且基于测量的测试结果将该电源电压值编程到该集成电路中。在测试了集成电路之后，测试模式过程中确定的电源电压值保持恒定，并因此必须被选择为足够高以满足其中指定该集成电路发挥作用的所有操作环境。附图说明 本专利技术借助于示例说明并且不限于附图，在附图中相同的附图标记表示相似的元 件。附图中的元件被出于简化和清楚的目的而示出，并且没有必要依比例绘制。 图1以框图的形式示出了根据本专利技术的一个形式的具有动态电压调节的存储器 的集成电路； 图2示出了图1的集成电...
【技术保护点】
一种向存储器供电的方法，包括：操作集成电路的存储器，所述操作存储器包括以电源电压向所述存储器供电；在操作所述存储器的同时测试所述集成电路的测试存储器，所述测试存储器和所述存储器每一均包括第一比特单元配置类型的比特单元；和在操作所述存储器的同时，基于对所述测试存储器的测试，调节所述电源电压的电压电平。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-7-13 11/777,635一种向存储器供电的方法，包括操作集成电路的存储器，所述操作存储器包括以电源电压向所述存储器供电；在操作所述存储器的同时测试所述集成电路的测试存储器，所述测试存储器和所述存储器每一均包括第一比特单元配置类型的比特单元；和在操作所述存储器的同时，基于对所述测试存储器的测试，调节所述电源电压的电压电平。2. 如权利要求1所述的方法，其中所述测试包括确定其中所述测试存储器通过测试的用于向所述测试存储器供电的最 小电压电平；并且所述调节包括以基于确定最小电压电平的电压电平提供所述电源电压。3. 如权利要求1所述的方法，其中测试所述测试存储器包括在以多个电压电平向所述测试存储器供电的同时测试所述测试存储器；禾口 确定所述多个电压电平中的所述测试存储器测试失败的最高电压电平。4. 如权利要求3所述的方法，其中所述调节包括将所述电源电压调节到高于所述最高电压电平的电压电平。5. 如权利要求3所述的方法，其中以比所述电源电压的电压电平小预定量的电压电平 向所述测试存储器供电，其中在以多个电压电平向所述测试存储器供电的过程中，以多个 电压电平向所述存储器供电。6. 如权利要求l所述的方法，其中所述测试包括 将数据模式写入所述测试存储器； 自所述测试存储器读取数据单元；禾口 将所述数据模式与所述数据单元比较。7. —种向存储器供电的方法，包括 以操作电压电平向集成电路的存储器供电； 第一次测试所述集成电路的测试存储器；基于所述第一次测试将所述操作电压电平调节到第一调节操作电压电平； 在所述第一次调节之后以所述第一调节操作电压电平向所述存储器供电； 第二次测试所述测试存储器；基于所述第二次测试将所述第一调节操作电压电平调节到第二调节操作电压电平；和 在调节所述第一调节操作电压电平之后以所述第二调节操作电压电平向所述存储器 供电。8. 如权利要求7所述的方法，其中所述第一次测试包括以基于所述操作电压电平的第一测试电压电平向所述测试存储 器供电；并且所述第二次测试包括以基于所述第一调节操作电压电平的第二测试电压电平向所述 测试存储器供电。9. 如权利要求8所述的方法，其中所述第一测试电压电平比所述操作电压电平小预定量；并且 所述第二测试电压电平比所述第一调节操作电压电平小所述预定量。10. 如权利要求7所述的方法，其中如果所述第一次测试指示失败，则所述第一次调节包括使所述操作电压电平增加到所 述第一调节操作电压，其中所述第一调节操作电压电平大于所述操作电压电平。11. 如权利要求7所述的方法，其中如果所述第一次测试未指示失败，则所述第一次调节包括使所述操作电压电平减小到 所述第一调节操作电压，其中所述第一调节操作电压电平小于所述操作电压电平。12. 如权利要求7所述的方法，其中所述第一次测试包括在以多个电压电平向所述测试存储器供电的同时测试所述测试 存储器，并...
【专利技术属性】
技术研发人员：QA奎莱施，S达瓦尔，托马斯朱，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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