包括纳米线的非易失性存储器单元及其制造方法技术

提供存储器单元（３００，５００），存储器单元（３００，５００）包括基片（３０１）、沿着形成于基片（３０１）中的垂直沟槽延伸的纳米线（３０２）、环绕纳米线（３０２）的控制栅（３０３）以及形成在控制栅（３０３）和纳米线（３０２）之间的电荷储存结构（３２０，５０１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种存储器单元。另外，本专利技术涉及一种存储器阵列。此外，本专利技术涉及一种制造存储器单元和包括多个存储器单元 的存储器阵列的方法。
技术介绍
计算机系统中巨大量信息的存储变得越来越重要。特别地，闪存阵列可用于此目的。存储器单元中的具有接入晶体管和存储晶体管的双晶体管构造通过隧道效应能够进行快速随机访问以及低功耗编程和擦除。图1显示具有传统浮栅存储器单元100的传统双晶体管构造。在硅基片101中，提供源区102、源漏区103和漏区104为高度 掺杂的部分。接入晶体管110包括栅氧化层111、接入栅(access gate) 112、多晶硅层间电介质(IPD)层113、接触结构114和多晶 硅结构115。此外，提供包括隧道氧化层111、浮栅121、多晶硅层 间电介质层113和控制栅122的存储晶体管120。如此，图1显示其中存储晶体管120具有浮栅121的晶体管构 造。通常，栅氧化物111约为8mn厚。存储晶体管120将信息(电荷) 储存在浮栅121中。由于截留问题，隧道氧化物111和多晶硅层间电 介质层113比8nm厚。根据图2中显示为存储器单元200的另一传统双晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元（３００，５００），存储器单元（３００，５００）包括：　基片（３０１）；　纳米线（３０２），沿着形成于基片（３０１）中的垂直沟槽延伸；　控制栅（３０３），环绕纳米线（３０２）的至少一部分；　电荷储存结构 （３２０，５０１），排列在控制栅（３０３）和纳米线（３０２）之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔穆德纳韦尔塔，米希尔约斯范杜里恩，纳德尔阿基勒，杜尚戈卢博维奇，穆罕默德布特希什，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]