【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管 及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法
图2显示了在氧化物层18上进行脱耦等离子体氮化 (DPN)以在氧化物层18上形成富氮氧化物层20之后的半导体器件 10。该富氮氧化物层优选很薄，不大于10埃，充分均匀以完全覆盖 氧化物层18，以及具有不大于IO原子百分比的氮浓度。DPN能够在 获得小于10埃的厚度的同时获得这种均匀性。而且典型的氮化物沉 积工艺无法形成这样的薄层或者具有氮的期望低浓度。甚至已经发 现，对于氮化物，原子层沉积(ALD)直到沉积了大约5层或更多，或者无法获得氮的期望低浓度。使 用DPN,甚至连5埃也可以获得。作为选择，远距等离子体氮化同 样可以有效形成富氮氧化物层20。虽然不是化学计量比氮化硅，但 是富氮氧化物层20具有氮化物的许多特性。特别地，它对某些用来 蚀刻氧化物的蚀刻剂具有高选择性。例如，氢氟酸蚀刻氧化物远快于 蚀刻富氮氧化物，例如层20。虽然希望具有充足的氮浓度以获得这 种期望的蚀刻特性，但同样希望具有低的氮浓度，小于10原子百分 比，以尽量保留氧化物的电特性。有效的DPN工艺或者该平衡的获 得是使...
【技术保护点】
一种在半导体基板上制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 在半导体基板上形成第一绝缘层以用作半导体基板的第一区域中的高压晶体管的栅极电介质； 在形成第一绝缘层的步骤之后，于半导体基板上形成第二绝缘层以用作在基板的第二区域中的非易失性存储器晶体管的栅极电介质；以及 在形成第二绝缘层的步骤之后，于半导体基板上形成第三绝缘层以用作在基板的第三区域中的逻辑晶体管的栅极电介质。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：RA劳，R穆拉利德哈，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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