单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法技术

一种耗尽型单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的形成方法。此方法包括：提供具有一浮置区与一控制区的一基底，分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成一隔离深阱区以及一深阱区。之后，于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基底中，分别形成一阱区以及一隔离阱区。分别于该阱区以及该深阱区形成一耗尽掺杂区以及一存储单元注入区。于该基底上形成横跨该浮置区与该控制区的一浮置栅结构，其中该浮置栅结构分别裸露部分该耗尽掺杂区与部分该存储单元注入区。最后，进行一掺杂工艺以分别于裸露的部分耗尽掺杂区以及裸露的部分存储单元注入区中形成一源极／漏极区以及一重掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非挥发性存储单元、其形成方法与操作方法，且特别是涉及一种单层多晶硅可电除可程序只读存储单元(single-poly EEPROM cell)、其制造方法以及其操作方法。
技术介绍
随着消费性电子产品大受欢迎的影响，于电源关闭的状态下，仍可以保 留所储存的数据与数据的非挥发性存储器(non-volatile memory),被广泛的应 用于各种电子装置中，包括多媒体或是可携式多媒体应用装置，例如数字相 机、随身听或是可携式电话等。而将非挥发性存储器与其它元件整合工艺， 例如与互补式金属氧化物半导体、逻辑元件、高压元件与低压元件整合工艺， 成为目前制造发展的趋势之一。现有的可电除可程序只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM)，为一种非挥发性存储器。 一般EEPROM胞 具有两个相互堆栈的栅极，包括以多晶硅(poly-silicon)所制作用来储存电荷 的浮置栅，以及用来控制数据存取的多晶硅控制栅。其中浮置栅通常处于"浮 置"的状态，没有和任何线路相连接，而控制栅则通常与字线相接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耗尽型单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的形成方法，包括：提供基底，其中该基底具有浮置区与控制区；分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成隔离深阱区以及深阱区；于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基 底中，分别形成阱区以及隔离阱区；分别于该阱区的该基底的表面以及该深阱区的该基底的表面形成耗尽掺杂区以及存储单元注入区；于该基底上形成横跨该浮置区与该控制区的浮置栅结构，其中该浮置栅结构分别裸露部分该耗尽掺杂区与部分该存储单元 注入区，且该浮置栅结构包括一浮置栅、一栅间介电层与一穿遂介电层，而该栅间介电层位...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣庆，董明宗，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]