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一种耗尽型单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的形成方法。此方法包括：提供具有一浮置区与一控制区的一基底，分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成一隔离深阱区以及一深阱区。之后，于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基底中，分别形...
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