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公开一种在半导体基板（１２）上制造的半导体器件。第一绝缘层（１８）被形成于半导体基板上以用作半导体基板（１２）的第一区域（１４）内的高压晶体管（３８）的栅极电介质。在第一绝缘层（１８）形成之后，第二绝缘层（２４）被形成于半导体基板（１２）上...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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