半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层。可改善和消除在浅沟槽隔离制造工艺中引起衬底的有源区中的缺陷或损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
半导体集成电路通过在半导体衬底中和上形成半导体器件，并将所述半导体器件用互连线连接而形成。其中，不同的半导体器件通过浅沟槽隔离结构隔离。 浅沟槽隔离结构形成于半导体衬底中，以在衬底中隔离出用于制造集成电路器件的有源区。浅沟槽隔离结构一般通过在半导体衬底中形成沟槽、并在该沟槽中填充绝缘介质的方法形成。例如，在公开号为CN1649122A的中国专利申请文件就公开了一种浅沟槽隔离的制造方法。 现有一种浅沟槽隔离结构的制造方法如图1至图5所示。 请参考图l，提供衬底IO，在所述衬底上依次形成有垫氧化硅层12和硬掩膜层14。 请参考图2，通过光刻和刻蚀工艺在所述衬底中形成沟槽16，所述沟槽16上方相应的硬掩膜层14和垫氧化硅层12中具有开口。 请参考图3，在所述沟槽16中填充绝缘介质18。 请参考图4，移除所述硬掩膜层14。 请参考图5，移除所述垫氧化硅层12，即形成包括绝缘介质层18a的浅沟槽隔离结构。其中，可采用氢氟酸溶液的湿法腐蚀工艺移除该垫氧化硅层12。去除该垫氧化硅层12后，即形成浅沟槽隔离结构。 接着，需要在浅沟槽隔离结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层。

【技术特征摘要】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层。2. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于所述氧化工艺为干氧氧 化或湿氧氧化。3. 如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于若所述氧化工艺为干氧 氧化，所述干氧氧化包括快速热氧化；若所述氧化工艺为湿法氧化，所述湿氧氧化为原位水 蒸气产生氧化。4. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于所述氧化工艺为干氧氧化，温度为IOO(TC至IIO(TC。5. 如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在执行所述氧化工艺之前，或者在执行氧化工艺之后且在去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层之前，进一步包括 对所述衬底掺杂形成阱区的工艺。6. 如权利要求1至5任一权利要求所述的半导体器件的制造方法，其特征在于形成的牺牲氧化硅层的厚度为10埃至30埃。7. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：何学缅，王丹，何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]