刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀方法，包括步骤：提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第二直流电压与所述第一直流电压极性相反；停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；停止通入所述辅助气体；取出所述衬底。采用本发明专利技术的刻蚀方法，可以有效防止因刻蚀后衬底带静电而导致的球状缺陷的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术，在同一硅衬底上形成大量各 种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任一步工艺中所产生的 缺陷，都可能会导致电路的制作失败。 一旦在生产过程中引入了颗粒等污染源，就可能引起 电路的开路或断路，因而在半导体工艺制造中，如何避免在工艺制造中的污染是必须要关 注的问题。尤其是随着集成电路的飞速发展，器件的集成度越来越高，器件尺寸越来越小， 对控制晶片表面玷污的要求也越来越严格。 另外，一些现有的工艺制作方法，在制作大尺寸器件时不会出现缺陷或不会出现能影响到器件性能的缺陷，但在制作小尺寸器件时则可能会产生一些会对小尺寸器件的性能、成品率等造成较大影响的缺陷，有必要对现有的工艺制作方法进行改进。以刻蚀形成通孔的工艺为例。在刻蚀形成通孔时常会出现一些球状缺陷，令器件的成品率下降。图1为现有的刻蚀形成通孔时出现的球状缺陷图，如图1所示，在刻蚀形成的大量通孔101中，有部分通孔附近会出现球状缺陷110。该缺陷在大尺寸器件中出现得较少，对器件的制作影响不大。但随着器件尺寸的縮小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第二直流电压与所述第一直流电压极性相反；停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；停止通入所述辅助气体；取出所述衬底。

【技术特征摘要】
一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第二直流电压与所述第一直流电压极性相反；停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；停止通入所述辅助气体；取出所述衬底。2. 如权利要求l所述的刻蚀方法，其特征在于所述辅助气体包括氮气、氩气或氦气中 的任一种或其组合。3. 如权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于所述辅助气体的流量在50至 500sccm之间。4. 如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于所述射频电压的功率在100至500W之间。5. 如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于所述第二直流电压在功率在400至 1200W之间。6. 如权利要求1或5所述的刻蚀方法，其特征在于施加所述第二直流电压的时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，沈满华，孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]