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本发明公开了一种刻蚀方法，包括步骤：提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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