【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体制程中，等离子体气相沉积包括物理气相沉积(PVD)和等离子体气相沉 积，其中，PVD方法被广泛用来形成金属层，如用来形成焊盘的铝层、填充通孔的钨层和铜电 镀的晶种层。 实践中，通常需要利用PVD工艺形成较厚的所述金属层，以形成铝层为例，在器件 临界尺寸縮减至65纳米时，所述铝层的厚度可为1. 55微米。 但是，实际生产发现，采用PVD工艺形成所述金属层时，所述金属层的温度有逐渐 升高的趋势，具体地，若工艺要求形成的所述金属层的标准温度为270摄氏度时，在完成所 述PVD操作后，所述金属层实际温度通常超过270摄氏度。 所述金属层实际温度升高将导致承载所述金属层的基底及承载所述基底的承载 台的实际温度升高。此温度升高现象引发的直接后果，包括l)对于后续基底，会在误认为 所述承载台的温度为270摄氏度时，执行所述PVD操作，但其实际温度却高出270摄氏度 (如280摄氏度或更高)，使获得的所述金属层的实际温度高于270摄氏度，并且，随着反应 累计时间的增加，实际温度和标准温度之间的温差进一步增加，而...
【技术保护点】
一种等离子体气相沉积方法，其特征在于，包括： 确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度； 提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度； 形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。
【技术特征摘要】
一种等离子体气相沉积方法，其特征在于，包括确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。2. 根据权利要求1所述的等离子体气相沉积方法，其特征在于所述反应腔室的数目 大于或等于2时，利用不同的所述反应腔室形成相邻的沉积分层。3. 根...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂佳相，康芸，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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