电镀方法技术

一种电镀方法，包括：确定电镀层厚度并提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在所述晶种层上顺序执行形成至少两层电镀分层的操作及置于各形成所述电镀分层的操作之后的退火操作，各所述电镀分层的厚度和等于所述电镀层厚度。可在形成的电镀层中具有较少的孔洞。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
传统工艺中，通常应用电镀工艺形成器件与外部电路间的互连金属层(如铜)。利 用传统工艺执行电镀操作的步骤包括，步骤11 :如图1所示，确定电镀层厚度并提供基底 IO，所述基底10表面形成有晶种层20 ;步骤12 :如图2所示，在所述晶种层20上形成电镀 层30。 为改善后续化学机械研磨(CMP)及晶片可接受性测试(WAT)和可靠性测试的效 果，通常，在形成电镀层30后，需执行退火操作。作为示例，执行所述退火操作的工艺条件 包括退火温度为200摄氏度，退火持续时间为90秒。 然而，实际生产发现，如图3、图4所示，经历上述退火操作后，在形成的互连金属层(电镀层30)中，易存在孔洞(void)32，对于较厚(如，厚度超过3微米)的互连金属层，尤其严重。如何减少所述孔洞的产生，成为本领域技术人员致力解决的主要问题。 为减少所述孔洞的产生，业内已进行了诸多尝试，如2007年2月7日公布的公开号为CN1909206A的中国专利申请中提供了一种半导体元件中内连线结构的制造方法，通过在内连线结构中具有一或多个应力释放层，以抵消导电材料所引起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电镀方法，其特征在于，包括：　　确定电镀层厚度并提供基底，所述基底表面形成有晶种层；　　在所述晶种层上顺序执行形成至少两层电镀分层的操作及置于各形成所述电镀分层的操作之后的退火操作，各所述电镀分层的厚度和等于所述电镀层厚度。

【技术特征摘要】
一种电镀方法，其特征在于，包括确定电镀层厚度并提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在所述晶种层上顺序执行形成至少两层电镀分层的操作及置于各形成所述电镀分层的操作之后的退火操作，各所述电镀分层的厚度和等于所述电镀层厚度。2. 根据原权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，执行所述退火操作时，工艺参数包 括温度范围为150摄氏度-250摄氏度；持续时间为120秒-200秒。3. 根据原权利要求2所述的电镀方法，其特征在于在形成最后一层所述电镀分层及 置于其后的退火操作之...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂佳相，康芸，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]