电镀方法技术

在于金属基体的表面上进行电镀时，包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态，采用诱导共析现象，进行电镀。由于电镀液中的金属浓度为饱和或过饱和状态，故可抑制金属基体的溶解速度，并且采用诱导共析现象，在短时间获得平滑表面的电镀层。本发明专利技术的电镀方法可适用于下述情况，即，金属基体由形成在设置于基板上的绝缘膜的表面上的金属薄膜形成的情况下，上述金属为铜、锌、铁、镍、钴时都可以适用。通过采用这样的方案，可提供下述的电镀方法，在于金属基体的表面上进行电镀时，可防止金属基体的溶解，即使是极薄的金属基体，仍可正常地进行电镀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在金属基体的表面上进行电镀的，本专利技术特别 是涉及下述的方法，其中，防止电镀前的金属基体的溶解，即使为极薄 的金属基体，仍可利用诱导共析现象，在短时间内，通过电镀而得到均 匀的覆膜。背景狱在过去，作为半导体元件内的微细金属布线形成方法，其按照下述方式进行，该方式为通过溅射法(sputtering)，在于基板上形成比如，铝薄膜 之后，涂敷光刻胶(photoresist)，通过曝光'显影处理，进行布图处理 (Patterning)，通过蚀刻，形成规定的布线。但是，伴随半导体电路元件的 高集成化、细微化，难以采用这样的布线形成方法，由此，实施通过预先形 成布线用的槽或孔，化学气相成长CVD法，溅射等方式，在槽或孔中埋入 铝或铜，然后，通过化学机械抛光CMP (Chemical Mechanical Polishing)法， 对表面进行研磨，由此，形成布线的方法，所谓的金属镶嵌(damascene) 法。在该金属镶嵌法中，在形成槽时，还开设底层的布线的连接孔，同时将 铝、铜填充于该连接孔和槽中，从而形成布线的方法称为双道金属镶嵌(Dual damascene)法。近年，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电镀方法，其为在金属基体的表面上进行电镀的方法，其特征在于包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态下采用诱导共析现象进行电镀。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-2 270762/20061、一种电镀方法，其为在金属基体的表面上进行电镀的方法，其特征在于包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态下采用诱导共析现象进行电镀。2、 根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，上述金属粉末为与 金属基体或通过电镀处理获得的金属覆膜中的至少一者相同种类的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫田清藏，清水哲也，田岛永善，曾根正人，
申请(专利权)人：SES株式会社，宫田清藏，
类型：发明
国别省市：JP[日本]