本发明专利技术提供一种镀膜件及其制作方法，包括一基材、一形成于基材表面的结合层，及一形成于结合层表面的复合层，所述的复合层包括Cr-N层及Al-N层，该Cr-N层及Al-N层数为多个且交替排布。该镀膜件的制作方法为，提供一基材，在该基材表面形成一结合层，通过磁控溅射在结合层上形成一复合层，该复合层包括Al-N层和Cr-N层，该包括Al-N层和Cr-N层通过交替沉积形成。本发明专利技术的镀膜件及其制作方法工艺简单、无污染、且提高了基材的耐腐蚀性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种镀膜件及该镀膜件的制作方法。
技术介绍
铝合金由于其质量轻、散热性佳、电磁屏蔽性好等优点，广泛应用于3C产品、汽车及航空等领域。但铝合金最明显的缺点是耐腐蚀差，暴露于自然环境中会引起铝合金表面快速腐蚀。提高铝及其合金耐腐蚀性的一种方法是对其表面进行涂层处理。传统的阳极氧化、铬酸盐转化膜及电镀等处理铝及其合金的方法生产工艺复杂、效率低，尤其是易造成严重的环境污染。真空镀膜(PVD)技术广泛应用于铝及其合金的表面处理，但由于压铸后的铝及其合金表面孔隙缺陷及PVD技术特点，其PVD镀层不可避免地存在针孔等一些典型的缺陷，致使其耐腐蚀性能降低而无法很好地保护铝及其铝合金基材。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种耐腐蚀性强的镀膜件。另外，还有必要提供一种工艺简单的制作上述镀膜件的方法。一种镀膜件，包括一基材、一形成于基材表面的结合层，及一形成于结合层表面的复合层，所述复合层包括Cr-N层及Al-N层，该Cr-N层及Al-N的层数为多个，且该Cr-N层 301A1-N层交替排布。—种镀膜件的制作方法，其包括如下步骤提供一基材；在该基材表面形成一结合层；通过磁控溅射在结合层上形成一复合层，该复合层为沉积的Al-N层和Cr-N层，该 Al-N层及Cr-N层的沉积次数为多次。相较于现有技术，本专利技术的，先在基材形成一结合层，再于该结合层上形成一复合层，该复合层为为Al-N层及Cr-N层，且沉积层数为多层。这种结合形式能有效的打断膜层的柱状晶的生长结构，提高了膜层的致密性，并且作为中间层的结合层的设置一方面可增强复合层对基材的附着力，另一方面还能极大地降低基材与复合层之间的电位差，减缓微电池腐蚀，从而提高基材的抗腐蚀能力。附图说明图1是本专利技术较佳实施例的镀膜件的结构示意图。主要元件符号说明镀膜件100基材10结合层 20复合层30Cr-N 层301Al-N 层30具体实施例方式请参阅图1，本专利技术一较佳实施方式的镀膜件100包括一基材10及形成于基材10 表面的一结合层20和一形成于结合层20上的复合层30。该基材10可为不锈钢、铝、铝合金等金属材料，也可为陶瓷、玻璃等非金属材料， 优选为铝、铝合金。该结合层20为一铝层，该铝层以磁控溅射的方式形成于基材10上。该结合层20 的厚度为50 300nm。该复合层30以磁控溅射的方式形成，其包括Cr-N层301及Al-N层303，该Cr-N 层301及Al-N层303的层数为多个，且该Cr-N层301及Al-N层303交替排布。本实施例中，所述Cr-N层301及Al-N层303的层数可分别为6_10层。该复合层30致密性高，抗腐蚀能力强。每一 Cr-N层301及每一 Al-N层303的厚度为40 150nm。可以理解，所述的复合层30中的Cr-N层301及Al-N层303沉积在结合层20上的顺序可以相互置换。请参阅图1，本专利技术一较佳实施方式的镀膜件100的制作方法包括以下步骤提供一基材10。该基材10可为不锈钢、铝、铝合金等金属材料，也可为陶瓷、玻璃等非金属材料，优选为铝、铝合金。对该基材10进行表面预处理。该表面预处理可包括常规的对基材10进行化学除油、除蜡、酸洗、超声波清洗及烘干等步骤。对经上述处理后的基材10的表面进行氩气等离子体清洗，以进一步去除基材10 表面的油污，以及改善基材10表面与后续涂层的结合力。该等离子体清洗的具体操作及工艺参数可为将基材10放入一磁控溅射镀膜机(图未示)的镀膜室内，将该镀膜室抽真空至8.0X10_3Pa，然后向镀膜室内通入流量为50 400sc cm(标准状态毫升/分钟)的氩气 (纯度为99. 999%),并施加-300 -600V的偏压于基材10，对基材10表面进行等离子体清洗，清洗时间为5 lOmin。采用磁控溅射法在经前处理后的基材10的表面溅镀一结合层20，该结合层20为一金属铝层。溅射该结合层20时，开启一铝靶的电源，并对该铝靶施加-150 -500V的偏压， 调节氩气流量至50 300sCCm，于经等离子体清洗后的基材10表面沉积一所述的结合层 20。该结合层20的厚度为50 300nm。 形成所述结合层20后，对基材10施加-150 -500V的偏压，向所述镀膜室内通入流量为10 150SCCm的反应气体氮气，调节氩气的流量为300 500SCCm，交替开启所述铝靶及一铬靶的电源，于结合层20上沉积Al-N层301及Cr-N层303，且Al-N层301及Cr-N 层303的沉积次数为多次，该Cr-N层301及Al-N层303通过磁控溅射交替沉积形成，以形成复合层30。交替沉积的次数以6 10次为宜。每一 Al-N层301及每一 Cr-N层303的厚度均为40 150nm。可以理解，所述的复合层30中的Cr-N层301及Al-N层303的沉积顺序可以相互置换。相较于现有技术，所述的复合层30以Cr-N层303及Al-N层301的交替沉积多层， 以克服单一膜层的柱状晶的生长结构的缺陷，可有效改善膜层的致密性；更进一步的，所述的结合层20的设置一方面可增强复合层30对基材10的附着力，另一方面还能极大地降低基材10与复合层30之间的电位差，减缓微电池腐蚀，从而提高了复合层30的耐腐蚀性。应该指出，上述实施方式仅为本专利技术的较佳实施方式，本领域技术人员还可在本专利技术精神内做其它变化。这些依据本专利技术精神所做的变化，都应包含在本专利技术所要求保护的范围之内。权利要求1.一种镀膜件，包括一基材、一形成于基材表面的结合层，及一形成于结合层表面的复合层，其特征在于所述复合层包括Cr-N层及Al-N层，该Cr-N层及Al-N的层数为多个，且该Cr-N层Al-N层交替排布。2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述Cr-N层及Al-N层的层数分别为6-10层。3.如权利要求2所述的镀膜件，其特征在于所述每一Al-N层及每一 Cr-N层的厚度均为40 150nm。4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述结合层为一铝层，其厚度为50 300nmo5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述基材由金属材料或非金属材料制成。6.如权利要求5所述的镀膜件，其特征在于所述基材为铝或铝合金。7.一种镀膜件的制作方法，其包括如下步骤 提供一基材；在该基材表面形成一结合层；通过磁控溅射在结合层上形成一复合层，该复合层为沉积的Al-N层和Cr-N层，该Al-N 层及Cr-N层的沉积次数为多次。8.如权利要求7所述的镀膜件的制作方法，其特征在于所述Al-N层和Cr-N层以交替沉积的方式形成。9.如权利要求8所述的镀膜件的制作方法，其特征在于所述交替沉积的次数为6-10次。10.如权利要求7所述的镀膜件的制作方法，其特征在于所述磁控溅射以铝和铬为靶材，设置于基材的偏压为-100 -300V，以氮气为反应性气体，氮气的流量为10 150sccm,以氩气为工作气体，其流量为300 500sccm。全文摘要本专利技术提供一种，包括一基材、一形成于基材表面的结合层，及一形成于结合层表面的复合层，所述的复合层包括Cr-N层及Al-N层，该Cr-N层及Al-N层数为多个且交替排布。该镀膜件的制作方法为，提供一基材，在该基材表面形成一结合层，通过磁控溅射在结本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种镀膜件，包括一基材、一形成于基材表面的结合层，及一形成于结合层表面的复合层，其特征在于：所述复合层包括Ｃｒ－Ｎ层及Ａｌ－Ｎ层，该Ｃｒ－Ｎ层及Ａｌ－Ｎ的层数为多个，且该Ｃｒ－Ｎ层Ａｌ－Ｎ层交替排布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张新倍，陈文荣，蒋焕梧，陈正士，陈晓强，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。