衬底处理方法和衬底处理装置制造方法及图纸

一种向衬底喷射干燥气体以进行衬底表面的干燥的衬底处理方法，该干燥气体由有机溶剂的蒸汽和惰性气体的混合气体组成，其特征在于上述干燥气体为混合气体，该混合气体由在蒸汽产生部，由在有机溶剂中产生惰性气体的气泡的方式形成的有机溶剂蒸汽和惰性气体形成，其中上述蒸汽产生部内的温度由Ｔ↓［１］表示；从上述蒸汽产生部，到喷嘴的有机溶剂与惰性气体形成的混合气体的温度由Ｔ↓［２］表示；从喷嘴喷射的干燥气体的温度由Ｔ↓［３］表示；此时，控制上述温度，使其满足下述的关 系式：Ｔ↓［１］≤Ｔ↓［２］≤Ｔ↓［３］≤有机溶剂的沸点；并且在从上述喷嘴喷出的干燥气体中含有亚微粒度的有机溶剂薄雾。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体晶片，液晶显示器用衬底，记录盘用衬底，或掩模用衬底，其它的衬底表面进行高质有效的干燥处理的衬底处理方法及其装置。
技术介绍
为了对各种衬底中的半导体晶片(在下面称为“晶片”)等的表面进行清洁，通过药液，对晶片表面进行清洗，然后，通过纯水等处理液，进行清洗，之后，采用有机溶剂如异丙醇(IPA)等有机溶剂进行晶片的干燥处理。更具体地说，该处理由冲洗步骤和该步骤之后的干燥步骤构成，该冲洗步骤指通过药液和纯水，对晶片进行清洗后，将开晶片曝露于IPA的蒸汽中，使IPA凝结于晶片的表面上，通过该IPA的凝结，将到之前附着于晶片上的纯水置换为IPA，并且随着纯水从晶片的表面流失，将颗粒等污染物质冲洗掉，该干燥步骤指将IPA蒸发，使晶片表面干燥。在该干燥步骤中，即使在晶片的表面上残留有少量水滴，仍会在晶片表面上，形成水痕迹，该水痕迹与颗粒相同，是使晶片的品质变差的原因。由此，在半导体制造步骤中，必须防止这些污染颗粒附着于晶片上。因此为解决上述问题研究出了大量的晶片等衬底表面处理方法和处理装置，并投入实用，并且在专利文献，如JP特开2001-271188号文献(参考附图说明图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：中务胜吉，小笠原和久，堺原义晶，春木佳弘，川手宗则，
申请(专利权)人：SES株式会社，
类型：发明
国别省市：