具有多层处理腔室的清洗衬底的装置及其使用方法制造方法及图纸

一种用于对诸如半导体晶片的衬底进行清洗的装置，包括装载／卸载部分、在其中使晶片从水平状态转换为垂直状态的对准部分、对晶片执行蚀刻处理、漂洗和干燥处理并具有多个堆叠的处理腔室的清洗部分、以及其中设置有使得晶片在处理腔室之间移动的移动槽的接口部分。当晶片在处理腔室之间移动时，移动槽填充有去离子水（ＤＩ水），以避免晶片暴露到空气中。从装载／卸载部分中取出的晶片从水平状态转换为垂直状态，并移动到作为处理腔室的其中之一的第一处理腔室，以接受一部分处理。在晶片移动到作为另一个处理腔室的第二处理腔室以接受另一部分处理之后，它们从垂直状态转换为水平状态。也就是说，晶片沿着循环路线移动来进行处理。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造半导体器件的装置和方法，更具体地，涉及用于对诸如半导体晶片的衬底进行清洗的装置和方法。
技术介绍
当在半导体晶片上制造集成电路时，必须执行晶片清洗过程，以去除残留化学物质、小颗粒、杂质等。晶片清洗过程包括，利用化学反应来蚀刻或去除晶片上杂质的化学处理过程，使用去离子水(DI水)来漂洗经过化学处理的晶片的漂洗过程，以及最终对晶片进行干燥的干燥过程。为了执行这些过程，将使用多种处理槽(bath)。处理槽包括许多种，例如，用来去除晶片上的有机物的、包含有氢氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)以及水(H2O)的混合溶液的处理槽，用来去除晶片上的无机物的、包含有盐酸(HCL)、过氧化氢(H2O2)以及水(H2O)的混合溶液的处理槽，用来去除自然氧化层或无机污染物的、包含有稀释的氢氟酸的处理槽，在其中执行漂洗处理的处理槽，以及在其中执行干燥处理的处理槽，等等。典型的清洗装置具有清洗部分，上述的处理槽在清洗部分中设置成一排。在清洗部分的两端处分别设置有装载部分和卸载部分。装载部分上设置有容纳待处理晶片的容器，而卸载部分上设置有容纳已完成清洗的晶片的容器。清洗部分中设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多层结构的衬底清洗装置，包括：清洗部分，包括多个具有至少一个处理槽的处理腔室，衬底在所述处理槽中进行清洗，所述清洗部分还包括移动设备，其中：所述处理腔室是堆叠的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钟显，赵重根，具教旭，方寅浩，金禹泳，吴满锡，金贤钟，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]