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一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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