半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，平坦化所述半导体衬底的表面以形成金属互连层，所述平坦化至少包括：去除所述双镶嵌开口外的多余金属；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层；在平坦化之后的半导体衬底上形成刻蚀停止层、刻蚀停止层之上的钝化层、以及嵌在所述钝化层中的焊垫层，所述焊垫层位于所述金属互连层之上；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层之前还包括：将所述半导体衬底置于形成所述刻蚀停止层的设备中进行加热处理，所述加热处理的温度大于或等于后续任一工艺的温度。采用所述半导体器件的制造方法，能够避免这些突起在后端清洗工艺中被氧化侵蚀而形成腐蚀缺陷，提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着 65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，而芯片的运算速度明显受到金属导线所造成的电 阻电容延迟(Resistance Capacitance Delay Time, RC DelayTime)的影响。因此在目前 的半导体制造技术中，采用具有更低电阻率的铜金属互连，来代替传统的铝金属互连，以改 善RC延迟的现象。 由于铜具有低电阻率的特性，以铜为互连线的器件可承受更密集的电路排列，降 低生产成本，更可提升芯片的运算速度。此外，铜还具有优良的抗电迁移能力，使器件的 寿命更长及稳定性更佳等优点。但是，相对于铝金属互连而言，铜金属互连层形成后会残 余有较大的内应力。往往会在后端工艺的一定温度下因释放内应力而形成尖剌或突起 (hillock)，而引起半导体器件可靠性的问题。 例如公开号为CN101136356A专利申请文件的实施例中公开了一种铜互连的半导 体器件的焊垫层的制造方法提供带有介质隔离层和铜金属互连层的半导体衬底，所述铜 金属互连层镶嵌于介质隔离层中；接着进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有金属间介质层、金属间介质层中的双镶嵌开口、覆盖于所述金属间介质层上的阻挡层和阻挡层上的金属层，所述金属层填充于双镶嵌开口中；平坦化所述半导体衬底的表面以形成金属互连层，所述平坦化至少包括：去除所述双镶嵌开口外的多余金属；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层；在平坦化之后的半导体衬底上形成刻蚀停止层、刻蚀停止层之上的钝化层、以及嵌在所述钝化层中的焊垫层，所述焊垫层位于所述金属互连层之上；其特征在于，所述去除所述双镶嵌开口外的阻挡层之前还包括：将所述半导体衬底置于形成所述刻蚀停止层的设备中进行加热处理，所述加热处理的温度大于或等于后续...

【技术特征摘要】
一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有金属间介质层、金属间介质层中的双镶嵌开口、覆盖于所述金属间介质层上的阻挡层和阻挡层上的金属层，所述金属层填充于双镶嵌开口中；平坦化所述半导体衬底的表面以形成金属互连层，所述平坦化至少包括去除所述双镶嵌开口外的多余金属；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层；在平坦化之后的半导体衬底上形成刻蚀停止层、刻蚀停止层之上的钝化层、以及嵌在所述钝化层中的焊垫层，所述焊垫层位于所述金属互连层之上；其特征在于，所述去除所述双镶嵌开口外的阻挡层之前还包括将所述半导体衬底置于形成所述刻蚀停止层的设备中进行加热处理，所述加热处理的温度大于或等于后续任一工艺的温度。2. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述加...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵简，陈昱升，蔡明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]