双镶嵌结构的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀；在已形成通孔开口的所述衬底上覆盖第二介质层；对所述第二介质层进行第二刻蚀；在进行第二刻蚀后的所述衬底上覆盖第三介质层；在所述第三介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第三刻蚀，形成沟槽；去除形成沟槽后的所述衬底上残留的所述第二介质层和第三介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充金属，形成双镶嵌结构。采用本发明专利技术的双镶嵌结构的形成方法，可以避免采用现有方法形成的双镶嵌结构中出现的斜坡及凸起问题，提高了双镶嵌结构的形成质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
随着集成电路的制作向超大规模集成电路(ULSI)发展，内部的电路密度越来越 大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线 (Interco皿ect)。因此，为了配合元件縮小后所增加的互连线需求，两层以上的多层金属互 连线的设计，成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。其中，进入O. 18微米工艺技 术后，常采用铜和低介电常数(低k值，low dielectric constant)介质层的双镶嵌结构， 其可以减小金属电阻及芯片的互连延迟，已成为高集成度、高速逻辑集成电路芯片制造的 最佳方案。 双镶嵌结构通过在层间介质层内刻蚀形成通孔和沟槽，填充入导电材料，并利用 化学机械研磨方法去除额外的导电材料，实现既能为每一金属层产生通孔又能产生引线。 下面简单介绍一种常用的，图1至6为说明现有的双镶嵌 结构形成方法的器件剖面示意图。图l为现有的双镶嵌结构形成方法中形成通孔图形后的 器件剖面示意图，如图1所示，先在要形成双镶嵌结构的衬底101上沉积一层刻蚀停止层 102，再在该刻蚀停止层102上沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，在所述第一介质层内形成通孔开口；在已形成通孔开口的所述衬底上覆盖第二介质层，且其厚度至少填满所述通孔开口；对所述第二介质层进行第二刻蚀，至衬底上所述通孔开口以外的区域曝露出所述第一介质层；在进行第二刻蚀后的所述衬底上形成第三介质层；在所述第三介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第三刻蚀，形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除形成沟槽后的所述衬底上残留的所述第二介质层和第三介质层；在所述通孔开口和沟槽内填...

【技术特征摘要】
一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，在所述第一介质层内形成通孔开口；在已形成通孔开口的所述衬底上覆盖第二介质层，且其厚度至少填满所述通孔开口；对所述第二介质层进行第二刻蚀，至衬底上所述通孔开口以外的区域曝露出所述第一介质层；在进行第二刻蚀后的所述衬底上形成第三介质层；在所述第三介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第三刻蚀，形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除形成沟槽后的所述衬底上残留的所述第二介质层和第三介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充金属，形成双镶嵌结构。2. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述第二刻蚀的腔室压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙武，尹晓明，沈满华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]