制造具有界面阻挡层的半导体器件的方法技术

一种制造具有界面阻挡层的半导体存储器件的方法，包括形成第一层；同时注入钨源气体和硅源气体，以在该第一层上形成硅化钨层；在该硅化钨层之上形成氮化钨层，而不实施另外供应硅源气体的后清洗工艺；以及在该氮化钨层之上形成第二层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更特别地，涉及一种制造 具有界面阻挡层的半导体器件互连的方法。
技术介绍
最近，由于互连(如栅极线、位线、和金属线)的电阻-电容(RC)延迟 所造成的信号延迟，增加对用在高速半导体存储器件中的互连的新材料 和结构的要求。特别地，为了减少RC延迟的影响，已提出一种多晶硅金属栅极结 构，其中栅极是具有多晶硅层和钨层的多层叠结构，即顺序堆叠的W/ 多晶Si结构。采用鵠的多晶珪金属栅极结构称为鴒多晶珪栅极结构。在这种鴒多晶硅栅极结构中，阻挡层是用以抑制鵠层和多晶硅层之 间的界面反应的界面阻挡层(interface barrier )。氮化鴒(WN)层或具有 硅化钨(WSi)层和WN层的多层叠结构被用作钨多晶硅栅极结构的阻挡 层。图1为根据一种传统钨多晶硅栅极结构的阻挡层的各层之间所量测 的凯文接触电阻(KelvinRc)。附图标记'A，表示鴒多晶硅栅极结构的凯 文接触电阻，其中氮化鴒层插在多晶硅层和鵠层之间，而附图标记'B， 表示鴒多晶硅栅极结构的凯文接触电阻，其中硅化鵠层和氮化鴒层插在 多晶硅层和鴒层之间。参考图1,对于只有氮化钨层被插在多晶硅层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：　在衬底上形成第一层；　在工艺腔室中注入钨源气体和硅源气体，以在所述第一层之上形成硅化钨层；　在所述硅化钨层之上形成氮化钨层，而不实施包括供应硅源气体进入所述工艺腔室的后清洗工艺 ；和　在所述氮化钨层之上形成第二层。

【技术特征摘要】
KR 2008-3-21 10-2008-00264221.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括在衬底上形成第一层；在工艺腔室中注入钨源气体和硅源气体，以在所述第一层之上形成硅化钨层；在所述硅化钨层之上形成氮化钨层，而不实施包括供应硅源气体进入所述工艺腔室的后清洗工艺；和在所述氮化钨层之上形成第二层。2. 根据权利要求1的方法，还包括，在形成所述氮化钨层之前对所述 硅化鴒层实施净化工艺，以避免实施可实行为防止所述硅化鴒层的表面 氧化的所述后清洗工艺。3. 根据权利要求1的方法，其中在形成所述硅化钨层之后的2小时内 实施所述氮化鴒层的形成。4. 根据权利要求3的方法，其中在形成所述硅化鸽层之后的30分钟内 实施所述氮化鴒层的形成。5. 根据权利要求1的方法，其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所 述氮化钨层具有非晶特性的最小氮含量。6. 根据权利要求5的方法，其中所述最小氮含量的范围为10%到50%。7. 根据权利要求1的方法，其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所 述氮化鵠层具有非晶特性的最小厚度。8. 根据权利要求7的方法，其中所述最小厚度的范围为约IOA到约 50A。9. 根据权利要求1的方法，其中所述第一层包括多晶硅层，所述第二 层包括鴒层。10. 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：成敏圭，金龙水，林宽容，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]