一种微通孔钨损失的解决方法技术

本发明专利技术提出了一种微通孔钨损失的解决方法。现有技术中由于在金属蚀刻时活动区偏移会造成后续的蚀刻或清洗时微通孔中的钨被反应掉，从而影响金属的电性，造成残次品。本发明专利技术提出的方法中，在金属层蚀刻后先沉积一电介质层，然后再对电介质层回蚀。回蚀时由于ｓｐａｃｅｒ效应，会在金属图案的侧壁留下隔离物，隔离物能够保护微通孔使其中的钨不会被反应掉。本发明专利技术提出的方法能够有效的解决活动区偏移造成的微通孔中钨损失的问题，降低残次品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属蚀刻时产生蚀刻缺陷的解决方法，特别是涉及一种微 通孔钨损失的解决方法。
技术介绍
传统金属加工时使用车、冲等传统方式，但是由于存在冲击变形会造成金属的平整度不好；特别是在进行精密加工时(例如大面积的微孔滤网或肉眼不可见的细微零件)，传统方法无法实现。金属(metal)蚀刻是一种新技术，能 够实现精密加工。特别是在半导体行业，更为精密的制造工艺带来了技术上的 飞跃。现有的金属蚀刻工艺大致相同，即首先在基底上沉积金属层，然后在金属 层上进行制成光阻并进行黄光制程(通过黄色的光将图案转移至感光材料，再 通过溶剂将受光照部分溶解或保留以形成图案)，然后将金属蚀刻掉。在上述步 骤中，在蚀刻时会出现由于活动区(active area)偏移(Shift)，其结构如图1 所示，位于阻障层4上的金属层1并未能挡住微通孔2 (Via)。这样会在后续蚀 刻过程或清洗过程中将暴露出来的微通孔中的钨3 (w)反应掉，导致微通孔开 放(Via Open)的现象，如图2和图3所示。同时，在如图4和5所示的具有 两层微通孔时，假如出现如图1所示的金属层1未能挡住微通孔2的情况，在 蚀刻上层微通孔时会导致下层微通孔内的钨损失。这样两种情况都会导致金属 的电性失效，造成残次品。
技术实现思路
针对现有技术中的上述缺陷和问题，本专利技术的目的是提出一种微通孔钩损 失的解决方法，在金属蚀刻时通过隔离物保护微通孔，使后续的蚀刻或清晰过 程中微通孔中的钨不致被损失，保护金属的电性，降低残次品率。为了达到上述目的，本专利技术提出了，包括 步骤l、按预设图案蚀刻金属层； 步骤2、在蚀刻后的表面沉积电介质层； 步骤3、回蚀步骤2沉积的电介质层。作为上述技术方案的优选，所述步骤1还可以具体为按预设图案蚀刻金 属层及金属层底部的阻障层。作为上述技术方案的优选，所述步骤1可以具体为按预设图案蚀刻金属 层至露出阻障层。这样可以在后续步骤中再蚀刻阻障层，艮卩步骤4、蚀刻该阻障层。作为上述技术方案的优选，所述步骤2中的电介质层可以为氧化物层。作为上述技术方案的优选，所述步骤2的电介质层还可以为氮氧化硅SiON。本专利技术提出了。现有技术中由于在金属蚀刻 时活动区偏移会造成后续的蚀刻或清洗时微通孔中的钩被反应掉。本专利技术提出 的方法中，在金属层蚀刻后先沉积一电介质层，然后再对电介质层回蚀。回蚀时由于spacer效应，会在金属图案的侧壁留下隔离物，隔离物能够保护微通孔 使其中的钨不会被反应掉。本专利技术提出的方法能够有效的解决活动区偏移造成 的微通孔中鸨损失的问题，降低残次品率。附图说明图1为现有的金属蚀刻中活动区发生偏移时蚀刻的结构示意图； 图2图1经过后续蚀刻或清洗时微通孔钩损失的结构示意图； 图3图2实际照片；图4为上层微通孔蚀刻时导致下层通孔钩损失的示意图； 图5为图4的实际照片；图6为本专利技术第一优选实施例中步骤A蚀刻后的结构示意图7为本专利技术第一优选实施例中步骤B沉积电介质层后的结构示意图8为本专利技术第一优选实施例中步骤C回蚀后留有隔离物的结构示意4图9为本专利技术第一优选实施例中步骤D蚀刻掉阻障层后的结构示意图10为本专利技术第二优选实施例中步骤a蚀刻后的结构示意图11为本专利技术第二优选实施例中步骤b沉积电介质层后的结构示意图12为本专利技术第二优选实施例中步骤c回蚀后留有隔离物的结构示意图。具体实施例方式下面根据附图对本专利技术做进一步说明。本专利技术第一优选实施例提出的，包括 步骤A、按预设图案蚀刻金属层1至露出阻障层4，如图6所示；步骤B、在蚀刻后的表面沉积电介质层5，如图7所示；步骤C、回蚀步骤B中沉积的电介质层5;在回蚀时由于spacer效应，如 图8所示，在金属的边缘留下隔离物6，隔离物6挡住了微通孔2;步骤D、蚀刻该阻障层4，形成如图9所示的结构。在上述实施例中，步骤A为现有技术，步骤B的电介质层5的沉积方法也 是现有技术，在此不一一赘述。步骤C中，在蚀刻时由于存在spacer效应，会 在步骤A蚀刻的部分侧壁留下隔离物6,这样在步骤D蚀刻时，隔离物6能够挡 住微通孔2，使微通孔2中的鸽3不会损失掉，解决了现有技术微通孔中的钨损 失的问题。在上述第一实施例中，是在第一步蚀刻时如图6所示只蚀刻掉金属 层，保留金属层底部的阻障层，然后在步骤D中才将阻障层蚀刻掉。当然也可 以如下述的第二实施例，在第一步中就时刻掉阻障层。在第一优选实施例中，步骤B的电介质层可以为氧化物层。在第一优选实施例中，步骤B的电介质层还可以为氮氧化硅SiON。本专利技术第二优选实施例中提出的，包括步骤a、按预设图案蚀刻金属层及金属层底部的阻障层，如图10所示；步骤b、在蚀刻后的表面沉积电介质层，如图ll所示；步骤c、回蚀步骤2沉积的电介质层，如图12所示。在上述实施例中，步骤a为现有技术，步骤b的电介质层5的沉积方法也 是现有技术，在此不一一赘述。步骤c中，在蚀刻时由于存在spacer效应，会在步骤a蚀刻掉的金属层部分的侧壁留下隔离物6，这样在后续的蚀刻过程中， 隔离物6能够挡住微通孔2,使微通孔2中的钨3不会损失掉，解决了现有技术 微通孔中的钨损失的问题。在第二优选实施例中，歩骤b的电介质层可以为氧化物层。在第二优选实施例中，步骤b的电介质层还可以为氮氧化硅SiON。在上述的第一和第二实施例中，分别采用了蚀刻金属层时保留阻障层和蚀 刻金属层时不保留阻障层两种方式，都可以实现保护微通孔的目的。当然，采用上述优选技术方案只是为了便于理解而对本技术进行的举 例说明，本技术还可有其他实施例，本技术的保护范围并不限于此。 在不背离本技术精神及其实质的情况下，所属
的技术人员当可根 据本技术作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于 本技术的权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微通孔钨损失的解决方法，包括：　步骤１、按预设图案蚀刻金属层；　步骤２、在蚀刻后的表面沉积电介质层；　步骤３、回蚀步骤２沉积的电介质层。

【技术特征摘要】
1、一种微通孔钨损失的解决方法，包括步骤1、按预设图案蚀刻金属层；步骤2、在蚀刻后的表面沉积电介质层；步骤3、回蚀步骤2沉积的电介质层。2、 根据权利要求1所述的微通孔钨损失的解决方法，其特征在于，所述步 骤1具体为按预设图案蚀刻金属层，并蚀刻金属层底部的阻障层。3、 根据权利要求1所述的微通孔钨损失的解决方法，其特征在于，所述步 骤1具体为按预设图案蚀刻金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋朝刚，钱晓春，孔亮，周浩，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]