在介电层中形成通孔及垂直蚀刻轮廓的方法技术

本发明专利技术提供改善对于半导体装置中的形成通孔或沟槽的后蚀刻的方法。在较佳实施例中，包含进行一初始蚀刻以在一介电层上形成一元件，接着在此介电层上形成一重盖层，接着再进行额外蚀刻及回蚀刻工艺步骤。此重盖方法提供保护底下膜层及避免其在蚀刻后受到损伤。使用本发明专利技术可得到一致的元件轮廓及关键尺寸，增加时依性介电质击穿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺及改善通孔及沟槽蚀刻后的介电层性质的方法，且特别涉及一种提供蚀刻后重盖层于一介电层上方法，以改善半导体装置的关键尺寸及时依性介电击穿(TDDB)性质。
技术介绍
在半导体晶片上通常使用光学光刻技术、沉积、蚀刻、镶嵌及研磨等步骤来形成以 介电材料隔离的电路及导电层，以在半导体晶片上制造多个集成电路芯片。 传统半导体工艺中，通常形成铜或铝导电层并将其图案化以在半导体基材上方的 膜层中作为"顶层金属(top level metal)"连接器。在此讨论的基材，包含绝缘体或其他 外延层上的半导体或生长层，并通常具有晶体管或其他装置形成在掺杂区域中以提供p-n 或n-p结。晶体管通常为平面金属氧化物半导体(MOS)装置，且在许多工艺中，互补型金属 氧化物半导体(CMOS)晶体管是由在p型基材上形成n型金属氧化物半导体装置且于N型 阱区形成P型金属氧化物半导体装置所形成。这些装置通常成对而形成CMOS反相器(CMOS inverter)，且可耦合形成逻辑栅极、寄存器(registers)、存储器、处理器及其他先进集成 电路所需的功能元件。 为了完成集成电路，可使用高介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在介电层中形成通孔的方法，包括：提供一半导体结构，具有该介电层于一导电层上；形成一第一抗反射涂层于该介电层上；形成一第二抗反射涂层于该第一抗反射涂层上；形成一光致抗蚀剂层于该第二抗反射涂布上；图案化该光致抗蚀剂层；显影该光致抗蚀剂层，以形成由该光致抗蚀剂层覆盖的区域及未由该光致抗蚀剂层所覆盖的暴露区域；蚀刻该光致抗蚀剂层及该暴露区域，以形成多个通孔于该介电层中；移除该光致抗蚀剂材料及该第二抗反射涂层；以及以另一抗反射涂层重新覆盖该剩余的第一抗反射涂层，形成一重盖抗反射涂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑双铭，汪建荣，蔡信谊，林耕竹，柯忠祁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]