形成半导体器件的金属布线的方法技术

一种形成半导体器件的金属布线的方法及其器件。形成金属布线的方法及其器件，可通过充分地去除在沟槽上和／或上方的氧化物，和／或通过充分地去除可能存留在晶片表面上和／或上方的副产物，使半导体产量最大化。形成半导体的金属布线的方法可包括在金属布线上和／或上方形成介电层。形成半导体的金属布线的方法可包括在介电层上和／或上方形成接触孔，所述接触孔可暴露金属布线的部分表面。形成半导体的金属布线的方法可包括在接触孔的内侧上和／或上方执行氧化物去除工艺，和／或在沟槽的内侧壁上和／或上方执行副产物去除工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及一种电子器件及其方法。一些实施例涉及一种形成半导体器件的金属布线的方法。
技术介绍
铜布线可以用于半导体器件的层间连接。可由镶嵌工艺形成铜布线。镶嵌工艺可涉及在沟槽形状的上面(on)和/或上方(over)形成布线的工艺。镶嵌工艺可包括通过光刻和/或蚀刻工艺在介电层的上面和/或上方形成沟槽。镶嵌工艺可包括用诸如钨(W)、铝(Al)和/或铜(Cu)的导电材料填充沟槽。镶嵌工艺可以包括利用诸如回蚀(etch back)方法和/或化学机械抛光(CMP)方法来去除除布线之外的导电材料。为了充分完全地掩埋沟槽，可以沉积具有足够厚度的导电层，并可通过镶嵌工艺中的CMP工艺抛光相对厚的导电层，其中该相对厚的导电层位于除沟槽以外的区域上面和/或上方。但是，可能发生凹陷现象(dishingphenomenon)，这是因为：由于过度抛光和/或相对提高的CMP工艺速度，沟槽内的导电层的表面会下陷，比如会成为凹面。此外，可能产生刮痕(scratch)。图1示出了可在镶嵌工艺中执行的CMP工艺之后的DM图和缺陷。基本上大部分缺陷可存在于晶片的边缘区域，如图1(a)所示；和/或缺陷可集中地产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括如下步骤：在金属布线上形成介电层；形成暴露所述金属布线的至少部分表面的接触孔；以及在所述接触孔的内侧上执行氧化物去除工艺。

【技术特征摘要】
KR 2008-11-5 10-2008-01092971.一种方法，包括如下步骤：在金属布线上形成介电层；形成暴露所述金属布线的至少部分表面的接触孔；以及在所述接触孔的内侧上执行氧化物去除工艺。2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化物去除工艺包括含有激发的氢离子的氢等离子体处理工艺。3.如权利要求2所述的方法，其中在所述金属布线的所述暴露表面和所述接触孔的侧壁上执行所述氢等离子体处理工艺。4.如权利要求1所述的方法，其中：所述金属布线由铜形成；铜氧化物形成在所述金属布线的所述暴露表面上；以及所述氢等离子体处理工艺含有激发的氢离子并充分去除了所述铜氧化物。5.一种方法，包括如下步骤：在下部金属布线上形成介电层；形成暴露所述下部金属布线的部分表面的沟槽；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相喆，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]