薄膜构造体的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深；在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；对母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。本发明专利技术还公开了一种边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法。本发明专利技术能够采用一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形的同时，还能形成平坦的上表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成平坦化上表面的，尤其是涉及采 用一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形，同时还能形成平坦的上表面的薄 膜构造体的制造方法，属于微电子制造领域。本专利技术还涉及一种边缘电场型 液晶显示器阵列基板的制造方法。
技术介绍
薄膜工艺广泛应用于微电子的制造。其一般工艺步骤为，在平坦的母材 上沉积金属层、绝缘层、半导体层等多种薄膜，通过光刻工艺形成图形，实 现其电路功能。所谓光刻工艺是通过预先设计的掩膜板通过曝光和显影在薄 膜上形成感光层(光刻胶)，并通过蚀刻去掉没有被感光层覆盖区域的薄膜， 在薄膜上形成图形的方法。薄膜工艺中，由于各个层的所要形成的图形不同，不可避免的各图形的 某些线段会上下交叉叠加，比如液晶显示器的阵列基板的栅线和数据线等。 由于先沉积的薄膜在平坦的母材上形成了图形，因此，会突出于母材一定高 度，虽说此高度很微小，但在上面依次沉积其他薄膜时，上部的薄膜会形成 越来越大的段差。这种段差加大，会导致某层图形中的交叠处发生断线，该 断线不仅会使该层的电路断开，还可能导致原本相互隔绝的层连接在一起， 形成短路。下面，以现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造方法为例，说明 段差的形成。请参阅图1A-1E,图1A为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造 过程中，第一次光刻工艺后的截面图；图1B为现有的边缘电场型液晶显示器 阵列基板的制造过程中，第二次光刻工艺后的截面图；图1C为现有的边缘电 场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第三次光刻工艺后的截面图；图1D为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第四次光刻工艺后的截面图；图1E为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第 五次光刻工艺后的截面图。制造步骤简述如下。首先提供一母板10，通过第一次光刻工艺在母板10上形成公共电极11, 如图1A所示；继续沉积栅金属层于母板10上，并通过第二次光刻工艺形成栅 线及与栅线一体的栅电极12,如图IB;然后，沉积栅绝缘层13于母板10上， 并覆盖栅线、栅电极12及公共电极11，然后，继续沉积半导体层14和掺杂 半导体层15及源漏金属层，通过第三次光刻工艺采用双调(dual-tone)掩 膜板，形成TFT沟道、源电极16和漏电极17,如图1C;然后，沉积钝化层 18将整个母板10覆盖住，并通过第四次光刻工艺，形成过孔181,如图1D; 最后，沉积透明导电材料，通过第五次光刻工艺形成像素电极19，如图1E。可从图1A-1E看出，上述方法得到的结构，由于栅电极和公共电极突出 的设置在母板上，形成在栅电极和公共电极上面的薄膜层会形成段差，会导 致的断线和短路等问题发生。另一方面，由于薄膜工艺中使用的掩膜板的造价非常昂贵，随着薄膜工 艺的进一步发展，如何减少使用的掩膜板的数量，即通过一个掩膜板在连续 沉积的多层薄膜上分别形成图形，已成为业内降低成本，提高竟争力的关键 所在。现有技术中一般采用双调(dual-tone )掩膜板来代替2个普通的掩膜 板来实现减少掩膜板使用数的目的。所谓双调(dual-tone )掩膜板为灰调掩 膜4反(gray-tone mask)或半调掩膜板(half-tone mask)。灰调掩膜斧反 (gray-tone mask)是形成有光栅图形的掩膜板。半调掩膜板(half-tone mask)为形成有不同厚度的掩膜板。但是，现有技术中还没有公开通过一个掩膜板在多层薄膜上分别形成图 形的同时，还能使多层薄膜的图形的上表面形成平坦化的表面，达到减少断 线及短路发生的同时，还能减少掩膜板的使用数的技术方案
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种薄膜构造体和边缘电场型液晶显示器阵列基 板的制造方法，使其能够采用 一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形的同 时，还能形成平坦的上表面。为实现上述目的，本专利技术提供了一种，包括如下步骤步骤1:提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深；步骤2:在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；步骤3:对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有第 一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第 一物质层。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种边缘电场切换型液晶显示器阵列 基板的制造方法，所述阵列基板由显示区域和非显示区域构成，所述非显示 区域包括位于显示区域之间的TFT区域及配线区域，该配线区域包括栅线区 域及公共电极区域，该方法包括如下步骤步骤1、提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深，其中所述第一凹部对应于所述栅线区域及所述TFT区域，所 述第二凹部对应于所述公共电极区域；步骤2、在所述母板上连续沉积具有不同厚度的透明导电层及栅金属层；步骤3、对完成步骤2的母板进4亍研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有透明导电层及栅金属层，所述第二凹部内只具有透明导电层。由上述技术方案可知，本专利技术具有以下有益效果1、本专利技术的，通过在母板上蚀刻出第一区域和第 二区域，将第一物质层及第一物质层分别埋设于第一区域和第二区域内，避 免了因形成的图形突出而引起的段差的发生，杜绝了因段差引起的断线及短 路，提高了良品率。2、 本专利技术的，通过一个掩膜板将第一物质层和第一物质层分别形成在第一区域和第二区域内，相比现有的制造方法，节省了 一个掩膜板数量，简化了工艺，降低了成本。3、 本专利技术的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造方法，通过一个掩 膜板在母板内形成第 一凹部及第二凹部，将栅线及4册电极形成于第 一凹部 内，将公共电极形成于第二凹部内，解决了栅线、栅电极及公共电极图形 突出形成在基板上形成段差的问题，杜绝了因段差引起的断线及短路，提高 了良品率。同时，还节省了一个掩膜板的使用数，简化了工艺，降低了成本。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1A为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第一次光 刻工艺后的截面图1B为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第二次光 刻工艺后的截面图1C为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第三次光 刻工艺后的截面图1D为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第四次光 刻工艺后的截面图1E为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第五次光 刻工艺后的截面图2为本专利技术的的流程图3A为本专利技术在母板上形成感光层后的截面图3B为图3A的母板经蚀刻后的截面图3C为图3B的母板经灰化处理后的截面图3D为图3C的母板经蚀刻后的截面图；图3E为图3D的母板经去胶后的截面图4A为本专利技术的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法中，在 母^^反上形成感光层后的截面图4B为图4A的母板经蚀刻后的截面图4C为图4B的母板经灰化处理后的截面图4D为图4C的母板经蚀刻后的截面图4E为图4D的母板经去胶后的截面图4F为在图4E的母板上沉积第一物质层后的截面图4G为在图4F的母板上沉积第二物质层后的截面图4H为对图4G的母板进行研磨后的截面图5为本专利技术边缘场切换型液晶显示器阵列基板的像素结构的剖面图。lO-母板；12-栅电极；14-半导体层；16-源电极；18-钝化层；181-过孔；101本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　步骤１：提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深；　　　　步骤２：在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；　　　　步骤３：对完成步骤２的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。

【技术特征摘要】
1、一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深；步骤2在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；步骤3对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。2、 根据权利要求1所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨第二物质层及第一物质层，使母板的第一凹部及第二凹部之外的部分的上表面暴露为止。3、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨第二物质层、第一物质层及母板，使第二凹部内的第一物质层的上表面暴露为止。4、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括步骤ll:提供具有平坦的上表面的母板；步骤12:采用双调掩膜板，在所述母板的上表面形成第一凹部及第二凹部。5、 根据权利要求4所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤12中所述的双调掩膜板为灰调掩膜板或半调掩膜板。6、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括步骤ll，提供具有平坦上表面的母板；步骤12，在所述母板上至少沉积一层薄膜，并通过光刻工艺形成第一凹部及第二凹部。7、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步 骤3所述的研磨母板的步骤为通过化学机械抛光工艺对母板进行掩膜。8、 一种边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法，所述阵列基板 由显示区域和非显示区域构成，所述非显示区域包括位于显示区域之间的TFT 区域及配线区域，该配线区域包括栅线区域及公共电极区域，其特征在于包 括如下步骤步骤1、提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深，其中所述第一凹部对应于所述栅线区;或及所述TFT区域，所 述第二凹部对应于所述公共电极区域；步骤2、在所述母板上连续沉积具有不同厚度的透明导电层及栅金属层； 步骤3、对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有透明导电层及栅金属层，所述第二凹部内只具有透明导电层。9、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方 法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨栅 金属层及透明导电层，使母板的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘圣烈，宋泳锡，崔承镇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]