半导体发光器件制造技术

本发明专利技术实施方案涉及半导体发光结构。根据一些实施方案的所述半导体发光结构包括：多个化合物半导体层；电流扩散层，包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层和在所述透明电极层之间的金属层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于它们极好的物理和化学性能，所以作为用于发光器件 例如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的芯材料而受到极大关注。III-V族氮化物半 导体包括具有式InxAlyGai—x—yN(其中0《x《l，0《y《l，0《x+y《1)的半导体材料。 发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特性将电转化为红外线或者其它谱带 范围的光从而发射和接收信号的一类半导体器件，或者用作光源。 由这些氮化物半导体材料制成的LED或者LD广泛地用于发光器件以获得光，并且 应用作为各种产品例如移动式电话的键盘发光二极管、电布告板和照明器件的光源。
技术实现思路
—些实施方案提供一种半导体发光器件，包括多个透明电极层。 —些实施方案提供一种半导体发光器件，其通过在多个透明电极层之间布置金属层来改善透光性能和电性能。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括多个化合物半导体层；电流扩散 层，包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层以及在透明电极层之间的金属 层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括衬底；多个化合物半导体层，其包 括在衬底上的第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上 的第二导电半导体层；连接至所述第一导电半导体层的第一电极；在所述第二导电半导体 层上的第一透明电极层；在所述第二透明电极层上的金属层；在所述金属层上的第二透明 电极层；和电连接至所述第二导电半导体层的第二电极。 在附图和以下的描述中阐述一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及 通过权利要求使其它特征可变得显而易见。附图说明 图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图2 4是说明制造图1中半导体发光器件的工艺的示意图。 图5是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图6是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图7是根据第四实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图8是根据第五实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图9是根据第六实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图10是根据第七实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 图11是根据第八实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。具体实施例方式现在将详细说明本专利技术的实施方案，在附图中对其实施例进行说明。在实施方案 的描述中，将参考附图来描述每层的"上"或者"下"，每层的厚度仅仅描述作为一个示例而 不限于附图中的厚度。 在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者元件称为在另一衬 底、层(或膜)、区域或图案之'上'或者'下'时，'上'和'下'包括'直接地'和'间接地' 的全部含义。图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。 参考图l，半导体发光器件100包括衬底110、第一导电半导体层120、有源层 130、第二导电半导体层140、电流扩散(current spreading)层150、第一电极171和第二 电极173。 发光器件100包括使用多个化合物半导体层例如III-V族化合物半导体的LED，所 述LED可为发射蓝色光、绿色光或者红色光的彩色LED或者UV LED。通过LED发出的光可 在实施方案技术范围内部以不同方式实施。 衬底IIO可选自蓝宝石衬底(Al203)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga203、导电衬底 和GaAs。可在衬底110顶部上形成凹凸图案。此外，可在衬底110上形成使用1I族 VI 族元素的化合物半导体的层或图案，例如选自ZnO层(未显示)、缓冲层(未显示)和未掺 杂的半导体层(未显示)中的至少一层。 缓冲层和未掺杂的半导体层可通过使用III-V族元素的化合物半导体形成，缓冲 层可使得与衬底的晶格常数差减小，未掺杂的半导体层可由未掺杂的GaN基半导体形成。 在衬底110上形成包括多个化合物半导体层的发光结构145。发光结构145包括 第一导电半导体层120、有源层130和第二导电半导体层140。第一导电半导体层120在衬 底110或者另外的半导体层上形成，有源层130在第一导电半导体层120上形成，第二导电 半导体层140在有源层130上形成。 第一导电半导体层120可由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半 导体中的至少一种形成，例如GaN、 A1N、 AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP。在其中第一导电半导体层120为N型半导体的情况下，第一导电 掺杂剂包括N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电半导体层120可形成为单层或 者多层，但是不限于此。 有源层130在第一导电半导体层120上形成，并且有源层130可形成为单量子阱 结构或者多量子阱结构。有源层130可由阱层和势垒层的结构例如使用III-V族元素化合 物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层来周期性地形成。 可在有源层130上和/或下形成导电覆层，导电覆层可由AlGaN-基半导体形成。 第二导电半导体层140在有源层120上形成，并且可由掺杂有第二导电掺杂剂 的III-V族元素的化合物半导体中的至少一种形成，例如GaN、 A1N、 AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP。在其中第二导电半导体层140是 P-型半导体的情况下，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层 140可形成为单层或者多层，但是不限于此。 此外，可在第二导电半导体层140上形成第三导电半导体层，例如N-型半导体层 或者P-型半导体层。第三导电半导体层由具有与第二导电半导体层不同极性的半导体形 成。因此，发光结构145可包括选自N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构 中的至少一种。 电流扩散层150在第二导电半导体层140或者第三导电半导体层上形成。电流扩 散层150包括第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155。 第一透明电极层151在第二导电半导体层140上形成，金属层153在第一透明电 极层151上形成，第二透明电极层155在金属层153上形成。 第一透明电极层151和第二透明电极层155可由导电氧化物形成。导电氧化物可 由透明导电氧化物(TCO)材料形成，所述材料包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧 化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGT0)、氧化铝锌 (AZO)和氧化锑锡(ATO)中的至少一种。 第一透明电极层151可形成为没有任何图案的膜形式或者具有预定图案形式的 膜形式，并可形成为具有预定厚度例如200nm或更小。第一透明电极层151可形成为具有 网格结构的图案，用于与第二导电半导体层140的粘附。 金属层153可通过使用导电金属例如Ag、Ni和Al来形成。当金属层153形成为 薄膜时，光可传输通过该膜，该膜可形成为具有预定厚度例如10nm或更小。 通过导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层；电流扩散层，其包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层和在所述透明电极层之间的金属层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：裴贞赫，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]