【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于它们极好的物理和化学性能，所以作为用于发光器件 例如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的芯材料而受到极大关注。III-V族氮化物半 导体包括具有式InxAlyGai—x—yN(其中0《x《l，0《y《l，0《x+y《1)的半导体材料。 发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特性将电转化为红外线或者其它谱带 范围的光从而发射和接收信号的一类半导体器件，或者用作光源。 由这些氮化物半导体材料制成的LED或者LD广泛地用于发光器件以获得光，并且 应用作为各种产品例如移动式电话的键盘发光二极管、电布告板和照明器件的光源。
技术实现思路
—些实施方案提供一种半导体发光器件，包括多个透明电极层。 —些实施方案提供一种半导体发光器件，其通过在多个透明电极层之间布置金属层来改善透光性能和电性能。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括多个化合物半导体层；电流扩散 层，包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层以及在透明电极层之间的金属 层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。 —个实施方案...
【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层；电流扩散层，其包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层和在所述透明电极层之间的金属层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。
【技术特征摘要】
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