发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。该发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层上分隔开的多个发光单元；在发光单元中的至少一个上的磷光体层；和电连接至发光单元的多个第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于它们极好的物理和化学性能，所以作为用于发光器件例如发光二极管(LED)、和激光二极管(LD)等的芯材料而得到关注。III-V族氮化物半导体由化学式为InxAlyGai—x—yN(其中0《x《l，O《y《l，O《x+y《1)的半导体材料构成。 LED是通过利用化合物半导体的特性将电转化为红外线或者光来发送和接收信号的半导体器件，并且它们用作光源。 由氮化物半导体材料制成的LED或者LD广泛地用于发光器件以获得光，并且用作各种产品的光源，例如用于移动式电话键盘的发光部件、电标志牌和照明器件。
技术实现思路
实施方案提供能够在单个芯片中实现全色发光的发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。 实施方案提供发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括在第一电极接触层上的隔离开的多个发光单元、在所述发光单元中的至少一个上的磷光体层。 —个实施方案提供发光器件，包括第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的隔离开的多个发光单元，其中所述发光单元包括有源层和第二导电半导体层；在所述发光单元中的至少一个上的磷光体层；和电连接至所述发光单元的多个第二电极。 —个实施方案提供发光器件封装，包括封装体；在所述封装体上的多个电极；发光器件，所述发光器件具有连接至所述多个电极的多个发光单元、和在所述发光单元中的至少一个上的磷光体层；和覆盖所述发光器件的树脂材料。 在附图和以下的描述中阐述一个或更多个实施方案的细节。通过描述和附图以及通过权利要求使其它特征可变得明显。附图说明 图1是说明根据第一实施方案的发光器件的立体图。 图2是说明图1的发光器件的平面图。 图3是说明图1的发光器件的封装的侧面剖视图。 图4是说明根据第二实施方案的发光器件的平面图。 图5是说明根据第三实施方案的发光器件的侧面剖视图。 图6是说明图5的发光器件的封装的侧面剖视图。 图7是根据第四实施方案的发光器件的平面图。 图8是根据第五实施方案的发光器件的平面图。具体实施例方式现在将详细说明本专利技术的一些实施方案，在附图中说明其实例。在实施方案的描述中，将参考附图描述每层的"上"或者"下"，每层的厚度仅作为示例进行描述而不限于附图中的厚度。 在一些实施方案的描述中，应理解当层(或膜)、区域、图案或者元件称为在另一衬底、层(或膜)、区域或图案"上"或者"下"时，"上"和"下"包括"直接"和"间接"的全部含义。图1是说明根据第一实施方案的发光器件的侧面剖视图。 参考图l，发光器件100包括衬底101 ;第一导电半导体层110 ;多个发光单元102、 103和104 ;第一磷光体层142 ;第二磷光体层144 ;第一电极115 ;以及多个第二电极150、152和154。 衬底101可选自蓝宝石衬底(Al203)、GaN、SiC、Zn0、Si、GaP、InP、Ga203、导电衬底和GaAs。在衬底101上形成凹凸图案，使得外部量子效率得以改善。 在衬底101上生长化合物半导体。生长设备可包括但不限于电子束蒸发设备、物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备、等离子体激光沉积(PLD)设备、双型热蒸发设备、溅射设备和金属有机化学气相沉积(M0CVD)设备。 可形成利用1I族 VI族元素的化合物半导体的层或者图案，例如Zn0层(未显示)、缓冲层(未显示)和未掺杂的半导体层(未显示)中的至少一种。 缓冲层和未掺杂的半导体层可由III-V族元素的化合物半导体形成，缓冲层可减小与衬底的晶格常数差异，未掺杂的半导体层可由未掺杂的GaN基半导体形成。可以不形成缓冲层和/或未掺杂的半导体层，但是不限于此。 多个发光单元102、 103和104包括形成在衬底101上的多个化合物半导体层。发光单元102U03和104包括第一导电半导体层110的上部110A ;有源层120、122和124 ;以及第二导电半导体层130U32和134。 发光单元102、 103和104可在第一导电半导体层110上分隔开并生长成为单个的结构，或者可生长直至最上层并通过台面蚀刻分隔开。在实施方案的技术范围内，所述分隔方法和分隔结构的数目可进行各种改变。 第一发光单元至第三发光单元102、 103和104可间隔开预定间隙Gl和G2。 第一导电半导体层110可形成在衬底101或者另外的半导体层上。第一导电半导体层110可由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP形成。当第一导电半导体层110为N-型时，第一导电掺杂剂包括N-型掺杂剂，例如Si、 Ge、 Sn、 Se和Te。第一导电半导体层110可形成为单层或者多层，但是不限于此。 第一导电半导体层110的下部部分可定义为第一电极接触层，第一导电半导体层110的上部可定义为第一导电半导体层。 有源层120、122和124形成在第一导电半导体层110上，并且有源层120、122和 124可以形成为单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120、122和124可由阱层和阻挡 层的周期性结构形成，例如通过利用III-V族元素的化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN 阻挡层形成。 导电覆层可形成在有源层120、122和124之上和/或之下，导电覆层可由 AlGaN-基半导体形成。 第二导电半导体层130、 132和134形成在有源层120、 122和124上，第二导电半 导体层130、 132和134可由掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体例如 GaN、 A1N、 AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP禾口 AlGalnP形成。 当第二导电半导体层130、 132和134是？-型时，第二导电掺杂剂包括？-型掺杂剂例如Mg 和Zn。第二导电半导体层130、132和134可形成为单层或多层，但是不限于此。 此外，第三导电半导体层例如N-型半导体层或者P-型半导体层可形成在第二导 电半导体层130、132和134上。第三导电半导体层由与第二导电半导体层的极性不同的半 导体形成。发光单元102、103和104可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P 结结构中的至少一种。 发光单元102、 103和104中的每一个均可包括第一导电半导体层110的上部部分 IIOA。第一导电半导体层110的上部部分110A的厚度可根据台面蚀刻厚度而改变。 第一发光单元至第三发光单元102、 103和104的结构使得有源层120、 122和124 以及第二导电半导体层130、132和134在第一导电半导体层IIO上分隔开。 在第二导电半导体层130、132和134或者第三导电半导体层上可形成透明电极 (未显示)。透明电极可包括但不限于以下中的至少一种氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、 氧化镓锌(GZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟镓锌(IGZO) 、IrOx本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的分隔开的多个发光单元，其中所述发光单元包括有源层和第二导电半导体层；在所述发光单元中的至少一个上的磷光体层；和电连接至所述发光单元的多个第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]