【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于半导体清洗
技术介绍
"光掩模"是集成电路芯片制造中用于批量印刷电路的模版。通过光刻工艺，将光掩模上的电路图案大批量印刷到硅晶圆上。因此光掩模上的任何缺陷都会对芯片的成品率造成很大的影响。 在传统光掩模生产流程中清洗工艺用硫酸和过氧化氢的混合物，之后的流程可以去除部分硫酸根，但残留的硫酸根会在光掩模使用过程中产生结晶而造成大量的芯片次品，每年由于这个问题导致工业界的浪费高达10亿美元。雾状缺陷(haze)是一种已困扰半导体业界长达十年以上的光掩模污染问题，半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。光掩模的基材为石英玻璃，而在光掩模制造和处理过程中，由于硫酸(H2S04)的使用，造成光掩模表层残留有硫酸根离子，而硫酸根离子与空气中的铵根等阳离子结合形成硫酸铵等晶体，随着晶体的缓慢长大，当其尺寸与光掩模上电路线宽尺寸相当时，就形成我们所说的雾状缺陷问题。 在光掩模的生产过程中，剥离光刻胶的除胶工艺和清洗工艺都需要用到硫酸。如何最大限度减少光掩模表层残留的硫酸根离子是解决雾状缺陷核心问题。目前行业内对此有以下几种处理手段 1、使用热...
【技术保护点】
一种去除光掩模中的硫酸根的方法，其特征在于：在１０－３０℃温度下，用波长在１００纳米－２５０纳米的紫外光在惰性气体氛围中照射光掩模，紫外光照射时间控制为１－１２０ｍｉｎ，光掩模表层的硫酸根离子吸收紫外光波能量，造成硫酸根离子中的氧硫键断裂并转换气态的氧气和二氧化硫，而脱离光掩模表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金海涛，李德建，徐飞，
申请(专利权)人：常州瑞择微电子科技有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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