【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造工艺中的清洗剂组合物，具体涉及一种光刻 胶清洗剂组合物。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，首先在二氧化硅、Ql (铜)等金属以及低 k材料等表面上形成光刻胶的涂层，利用适当的掩模进行曝光、显影，根据 所用光刻胶的特性，除去曝光或者未曝光部分的光刻胶，在所要求的部位形 成光刻胶图案，然后在该光刻胶图案上进行等离子刻蚀或反应性气体刻蚀， 最后利用有机清洗剂组合物或者氧气等离子体灰化，除去保留的光刻胶。在 所述刻蚀工艺中，在光刻胶掩模的侧壁处，刻蚀气体与光刻胶、基材、基材 上的绝缘膜以及低电介质材料等进行复杂反应，会产生难溶性的侧壁堆积 物。在所述灰化过程中，也会产生光刻胶的不完全灰化物。刻蚀产生的侧壁 堆积物、光刻胶的不完全灰化物(光刻胶残余物)、以及刻蚀、灰化形成的 金属氧化物和其它含金属的残余物，会造成晶片上金属图案的接触不良，从 而导致晶片量率的显著下降，因此必须使用合适的清洗剂将其充分除去。在 清洗过程中，使用的化学清洗剂常会造成晶片图案和基材的腐蚀。尤其是在 利用化学清洗剂除去光刻胶、刻蚀或灰化残留物的过程中，金属(尤其是铝...
【技术保护点】
一种光刻胶清洗剂组合物，包含醇胺、水溶性极性有机溶剂和水，其特征在于，还含有选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：史永涛，彭洪修，曹惠英，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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