一种等离子刻蚀残留物清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其包含溶剂、水和氟化物，其还含有含颜料亲和基团的星形聚合物。本发明专利技术的等离子刻蚀残留物清洗液可以有效去除等离子刻蚀后的光阻残留物、同时可以高效的抑制金属（尤其是铝）和非金属的腐蚀、有较大的清洗和漂洗的操作窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造工艺中的清洗液，具体的涉及一种等离子刻蚀残留物清洗液。
技术介绍
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分；第二步利用等离子刻蚀残留物清洗液进行清洗工艺，以除去剩余的光阻层，其步骤一般为先用等离子刻蚀残留物清洗液清洗，然后用溶剂或去离子水漂洗，最后再用去离子水漂洗。在这个过程中只能除去残留的光阻层聚合物和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。现有技术中典型的等离子刻蚀残留物清洗液有以下几种胺类清洗液，半水性胺基(非羟胺类)清洗液以及氟化物类清洗液。其中前两类清洗液需要在高温下清洗， 一般在6(TC到8(TC之间，这类清洗液目前主要是有EKC和ACT两家公司开发，并占有较大的市场。其典型的专利有US63本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子刻蚀残留物清洗液，包含溶剂、水和氟化物，其特征在于：其还含有含颜料亲和基团的星形聚合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，彭杏，于昊，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]