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本发明涉及一种去除光掩模中的硫酸根的方法，在１０－３０℃温度下，用波长在１００纳米－２５０纳米的紫外光在惰性气体氛围中照射光掩模，紫外光照射时间控制为１－１２０ｍｉｎ，光掩模表层的硫酸根离子吸收紫外光波能量，造成硫酸根离子中的氧硫键断裂并转...该专利属于常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。