自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，在传统ＳＡＳＧ制备工艺的基础上，增加了淀积ＯＮＯ薄膜（７）之前先淀积一层氧化硅（１１）、再反刻该层氧化硅（１１）的步骤。从而在写入栅极隔离区（９１１）的一周边缘形成一周具有倾斜侧壁的氧化硅侧墙残留（１１１）。该氧化硅侧墙残留（１１１）可以帮助ＯＮＯ薄膜（７）在此处形成一周也具有倾斜侧壁的侧墙（７３），从而有利于ＳＡＳＧ结构制备过程中尽可能完全地去除ＯＮＯ薄膜（７）的残留。最终即使有部分氧化硅残留（１１２）和／或ＯＮＯ薄膜残留（７４），由于是落在同是氧化硅的ＳＴＩ结构（２）上，也不会构成缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种栅结构的制备工艺。
技术介绍
自对准叠加双层多晶硅栅结构(Self-alignment Stack Gate,简称SASG结构)用途较为广泛，例如EEPROM的特定区域就需要制备SASG结构。请参阅图1， SASG结构900包括上层的控制栅极930、中间的隔离薄膜920和下层的写入栅极910。其中双层栅极930、910均为多晶硅，隔离薄膜920为ONO (Oxide-Nitride-Oxide，氧化物-氮化物-氧化物)薄膜。SASG结构900的下方是栅氧化层(gate oxide)3和有源区(active area)l。 在SASG结构制备之前，硅片形态如图2a所示。有源区1包括硅衬底、外延层和其上的双阱等，有源区1上已经制备有STI(浅槽隔离)结构2。硅片上已经生长了栅氧化层3，并在栅氧化层上淀积了多晶硅4。多晶硅4将用于制备SASG结构的写入栅极。 请参阅图2b 图2g，传统的SASG结构的制备工艺包括如下步骤 第1步，请参阅图2b，在多晶硅4上涂光刻胶6。通常在多晶硅4和光刻胶6之间还涂有一层抗反射涂层(ARC) 5以减少不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，硅片的有源区（１）之间具有浅槽隔离结构（２），硅片上生长有栅氧化层（３），栅氧化层（３）上淀积有多晶硅（４），其特征是：所述方法包括如下步骤：第１步，在多晶硅（４）上涂光刻胶（６），曝光显影后露出刻蚀窗口（１００），保留其余区域的光刻胶（６）；第２步，在刻蚀窗口（１００）刻蚀多晶硅（４）直至露出浅槽隔离结构（２），形成写入栅极隔离区（９１１），去除光刻胶（６）；第３步，在硅片表面淀积氧化硅（１１）；第４步，反刻该层氧化硅（１１）直至该层氧化硅（１１）的底部被完全刻蚀掉；第５步，在硅片表面淀积ＯＮＯ薄膜（７）；第６步，在硅片表面淀积多晶硅（８）；第７步，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕煜坤，孙娟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]