浮置栅极层与非易失性存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种非易失性存储器的制造方法，包括于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与硬掩模层；于硬掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除每一个隔离结构之一部分，以暴露出硬掩模层的部分侧壁；于暴露出的硬掩模层的侧壁上形成间隙壁。继之，于隔离结构上形成介电层，以填满间隙壁之间的空隙；移除间隙壁与硬掩模层；于第一导体层上形成第二导体层，以填满介电层之间的空隙；移除介电层；于基底上共形地形成栅间介电层；于栅间介电层上形成第三导体层；图案化第三导体层与第二导体层、第一导体层以形成控制栅极与浮置栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件的制造方法，且特别是有关于一种非易 失性存储器的制造方法。
技术介绍
存储器，顾名思义便是用以储存资料或数据的半导体元件。当电脑微处 理器的功能越来越强，软件所进行的程序与运算越来越庞大时，存储器的需 求也就越来越高，为了制造容量大且便宜的存储器以满足这种需求的趋势， 制作存储器元件的技术与工艺，已成为半导体科技持续往高集成度挑战的驱 动力。在各种存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取或抹除等动作 且存入的数据在断电后也不会消失的优点的非易失性存储器，已成为个人电 脑和电子设备所广泛采用之一种存储器元件。图1A为公知一种非易失性存储器的剖面示意图。请参照图1A,浮置栅极106a配置于浅沟槽隔离结构102之间的基底100 上。穿隧介电层104配置于浮置栅极106a与基底IOO之间。栅间介电层108 共形地配置于基底100上。控制栅极110配置于栅间介电层108上。源极/ 漏极区(未绘示)则配置在由穿隧介电层104、浮置栅极106a、栅间介电层108 以及控制栅极110所组成的堆迭栅极结构的二侧的基底100中。一般来说，在图1A所示的非易失性存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的制造方法，包括：　在一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一硬掩模层；　在该硬掩模层、该第一导体层、该穿隧介电层与该基底中形成多个隔离结构；　移除各所述隔离结构的一部分，以暴露出该硬掩模层的部分侧壁；　在暴露出的该硬掩模层的侧壁上形成多个间隙壁；　在所述隔离结构上分别形成一介电层，以填满所述间隙壁之间的空隙；　移除所述间隙壁与该硬掩模层，以暴露出该第一导体层；　在该第一导体层上形成一第二导体层，以填满该介电层之间的空隙；　移除该介电层；　在该基底上共形地形成一栅间介电层；　在该栅间介电层上形成一第三导体层；以及　图案化该第三导体层以形成一控制栅极，并图案化该第二导体层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜琬仪，赖亮全，王炳尧，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]