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本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，包括于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与硬掩模层；于硬掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除每一个隔离结构之一部分，以暴露出硬掩模层的部分侧壁；于暴露出的硬掩模层的侧壁上形成间隙...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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