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本发明公开了一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，在传统ＳＡＳＧ制备工艺的基础上，增加了淀积ＯＮＯ薄膜（７）之前先淀积一层氧化硅（１１）、再反刻该层氧化硅（１１）的步骤。从而在写入栅极隔离区（９１１）的一周边缘形成一周具有倾斜侧壁的氧化...
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