精确控制线宽的浅槽隔离工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第１步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第２步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第３步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第４步，干法等离子体去除光刻胶；第５步，湿法化学剥离光刻胶；第６步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；本发明专利技术的创新之处在于，在第３步和第４步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。本发明专利技术可以精确控制浅槽隔离工艺的特征尺寸，减少对光刻ＣＤ的精度要求，消除光刻返工，从而降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种浅槽隔离(STI)工艺。
技术介绍
浅槽隔离工艺是半导体集成电路制造的常用工艺，硅片表面在生长氧化硅和淀积氮化硅之后，还包括如下步骤请参阅图1。 第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后去除刻蚀窗口的光刻胶，保留其余区域的光刻胶； 第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽； 第3步，采用各向异性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀掉氮化硅、氧化硅和部分硅； 第4步，干法等离子体去除光刻胶； 第5步，湿法化学剥离光刻胶； 第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽。 上述方法的第3步完成后，硅片的剖面示意图请参阅图2，在刻蚀窗口 14刻蚀掉氮化硅12、氧化硅11和部分硅IO，初步形成了浅槽隔离结构15。其中al是第2步所测量的刻蚀窗口 14之间的线宽，al通常称为光刻CD(critical dimension,特征尺寸)。a2是第6步即将测量的浅槽隔离结构15之间的线宽，a2通常称为最终CD (Final CD)。将Aa =a2-al定义为刻蚀线宽损失量(etch bias) ， A a可以是正数或负数，理想情况下为零。图2所示的情况下，a2 <本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第１步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第２步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第３步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第４步，干法等离子体去除光刻胶；第５步，湿法化学剥离光刻胶；第６步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；其特征是：在第３步和第４步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕煜坤，孙娟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]