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本发明公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第１步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第２步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第３步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第４步，干法等离子体去除光刻胶；第５步，湿法化...该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第１步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第２步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第３步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第４步，干法等离子体去除光刻胶；第５步，湿法化...