基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器制造技术

基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除ＳｉＯ↓［２］膜后，采用以下步骤：１）在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：３．５±０．５ｎｍ；２）制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的ｎｃ－Ｓｉ；ｎｃ－Ｓｉ尺寸：１５－２０ｎｍ；３）制备氮化ｎｃ－Ｓｉ层，对ｎｃ－Ｓｉ氮化：对ｎｃ－Ｓｉ氮化，形成相互电绝缘的ｎｃ－Ｓｉ，同时在ｎｃ－Ｓｉ周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的ｎｃ－Ｓｉ尺寸：５－１０ｎｍ；４）制备氮化硅控制栅：厚度为２０－３０ｎｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米硅浮栅存储器制备的
尤其是基于分立电荷存储模式的高 密度、单分散、高可靠硅量子点(纳米硅浮栅存储器)的制备。
技术介绍
半导体存储器作为数据存储的基本单元，广泛应用于U盘、MP3及手机等移动通讯、 民用、国防等领域，与数字逻辑电路一起是集成电路的两大支柱产业。半导体存储器中 又以NAND和NOR浮栅型快闪存储器为非挥发存储器的代表。但传统的浮栅型非挥发存 储器又因集成电路向32nm以下发展而受到制约。表现在由于应力诱导漏电流和单元间浮 栅耦合效应导致的数据保持时间和可靠性降低甚至器件操作失效。在此背景下，人们探求各种新型的存储器件工作原理和结构，其中纳米晶浮栅存储 器结构和技术在上世纪末被提出来并得到发展。其基本专利技术点是用两个绝缘层之间的 nc-Si晶粒层替代常规浮栅(如多晶硅、氮化硅等)结构，从而达到由nc-Si存储电荷(信 息)的目的。这一部分也是最后制成的纳米硅浮栅存储器的关键工艺部分，直接影响存 储器的存储窗口和保持时间等存储器的基本性能。而本专利技术提出一种基于分立电荷存储 模式的高密度、单分散、高可靠硅量子点制备技术，是用于纳米硅存储器制本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺（ＬＯＣＯＳ方法）形成窗口区域，在注入硼离子并去除ＳｉＯ↓［２］膜后，其特征是采用以下步骤：　１）在此硅局域场氧化工艺后的源漏窗口区域制备隧 穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：３．５±０．５ｎｍ；　２）制备纳米硅层（ｎｃ－Ｓｉ）层：采用低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）方法，形成高密度、单分散特性一致的ｎｃ－Ｓｉ；ｎｃ－Ｓｉ尺寸：１５－２０ｎｍ；　３）制 备氮化ｎｃ－Ｓｉ层，对ｎｃ－Ｓｉ氮化：采用ＬＰＣＶＤ方法对ｎｃ－Ｓｉ氮化，形成相互电绝缘的ｎｃ－Ｓｉ，...

【技术特征摘要】
1、基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺(LOCOS方法)形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO2膜后，其特征是采用以下步骤1)在此硅局域场氧化工艺后的源漏窗口区域制备隧穿氧化层用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层(nc-Si)层采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化采用LPCVD方法对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸5-10nm；4)制备氮化硅(SiNx)控制栅采用LPCVD方法，厚度为20-30nm。2、 根据权利要求1所述的基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈坤基，张贤高，方忠慧，马忠元，黄信凡，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[]