The invention discloses a method for reducing the chip pad area of the formation of lattice defects and corresponding bonding pad forming method using argon plasma sputter removal in the process of patterning a conductive layer on the conductive layer formed on the surface of a thin layer of fluoride, so as to avoid the formation of lattice defects of fluoride containing fluorine in the thin layer caused by the escape that improves the conductivity and reliability of solder pad.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种芯片焊盘(PAD)的形成方法，特别是涉及一种芯片焊盘刻 蚀过程中减少焊盘区晶格缺陷形成的方法。
技术介绍
在芯片制程中，往往需要将各个膜层中形成的构件连接在一起以构成一个 完整的半导体器件，或需要将半导体器件与其他电子元件连接起来以构成所需 的电子电路模块；要完成这些连接就需要形成许多的焊盘(PAD),可以说焊盘 是芯片制程中重要的连接构件。为此，焊盘在导电性与可靠性上具有较高的要 求。故往往采用铝或铝合金来构建其导电层。然而，现有的焊盘形成工艺中，由于使用了含氟的刻蚀气体来实现焊盘导 电层的构图，故逸出的氟离子会与导电层的铝反应而导致焊盘区晶格缺陷的出 现，而晶格缺陷会对焊盘的导电性和可靠性造成负面影响。为此，防止与去除 焊盘区的晶格缺陷显得尤为重要。现有技术往往采用时间控制的方式来防止晶格缺陷的出现，然而这种控制 时间的方法并不可靠；故现有技术中更多的是于晶格缺陷出现后利用有机溶剂 清洁和等离子溅射等方式将其去除。如此，都没有有效的防止晶格缺陷的出现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，以于焊 盘形成过...
【技术保护点】
一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法，其特征是，利用氩气等离子溅射去除焊盘导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：代大全，张校平，傅海林，吴齐，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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