温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭露了一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法，其利用氩气等离子溅射去除导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层，从而避免了该含氟薄层中氟离子的逸出所致的晶格缺陷的形成，提高了焊盘的导电性与可靠性。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。