【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化镓基化合物半导体发光器件。更具体地说，本专利技术涉及一种 面朝上(face-up)型氮化镓基化合物半导体发光器件，其配置有具有优良透光性和欧姆特 性的正电极。
技术介绍
近年来，GaN基化合物半导体材料作为用于短波长发光器件的半导体材料吸引了 人们的注意力。通过金属有机化学气相沉积方法(MOCVD方法)、分子束外延(MBE方法) 等，在各种氧化物衬底例如蓝宝石晶体或者III-V族化合物衬底上形成GaN基化合物半导 体。 GaN基化合物半导体材料的一个特性特征是，在横向方向上的电流扩散很小。这导 致许多位错存在于外延晶体中，并且从衬底透到表面上，但尚不知道其详细原因。此外，在P 型GaN基化合物半导体中，电阻率比n型GaN基化合物半导体的电阻率高，因此，除非使与 p型GaN基化合物半导体形成欧姆接触的材料作为正电极，否则驱动电压会大大地增加。 与p型GaN基化合物半导体形成欧姆接触的材料主要是金属，特别地，具有大的功 函数的金属易于建立欧姆接触。并且，从透光的观点，正电极优选对光透明。因此，迄今为 止，已将容易与P型GaN基化合物半导体形成...
【技术保护点】
一种氮化镓基化合物半导体发光器件，具有包括氮化镓基化合物的ｐ型半导体层和与该ｐ型半导体层接触的透明导电膜，在该透明导电膜上存在相对于所有金属成分含有２０原子％或更高的构成半导体的金属的区域。
【技术特征摘要】
JP 2005-11-16 331607/2005;US 2005-11-23 60/739,003一种氮化镓基化合物半导体发光器件，具有包括氮化镓基化合物的p型半导体层和与该p型半导体层接触的透明导电膜，在该透明导电膜上存在相对于所有金属成分含有20原子％或更高的构成半导体的金属的区域。2. 根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中构成半导体的金属相对于 所有金属成分的比例具有以下分布，越接近半导体/透明导电膜界面，构成半导体的金属 的比例越高。3. 根据权利要求2的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离半导体/透明导电 膜界面大于等于3nm的透明导电膜中，构成半导体的金属相对于所有金属成分的比例为15 原子％或更低。4. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导电膜包括膜的密度 低的透明导电膜接触层和膜的密度高的透明导电膜电流扩散层，并且透明导电膜接触层与 P型半导体层接触。5. 根据权利要求4的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导电膜电流扩散层在 接近和远离p型半导体层的两侧采用不同的结构，并且在远离p型半导体层的一侧的透明 导电膜电流扩散层的结构是柱状结构。6. 根据权利要求5的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中接近p型半导体层的一侧 的结构层的膜厚度为30至100nm。7. 根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在P型半导...
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