发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管，其具体结构是，在衬片层的上面自下而上地形成有Ｎ＋ＧａＡｓ衬底、Ｎ－ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ布拉格反射层、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子阱有源层和Ｐ＋ＧａＡｓ帽层，在上述ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子阱有源层和Ｐ＋ＧａＡｓ帽层之间还形成有Ｐ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ布拉格反射层。该实用新型专利技术利用布拉格反射层的反射作用，防止大部分光从衬底部分散射出去。同时，该两个布拉格反射层构成了法布里－珀罗谐振腔，对有源层发出的光进行调制，聚集并放大更多的光，因而提高了出光效率。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种红外发光二极管的结构。
技术介绍
与传统光源相比，发光二极管具备众多优点，如工作电压低，能效高，体积小，还可 以产生可调的定向光。这些优点使得发光二极管的应用越来越广泛，尤其是大功率的红外 发光二极管，更是因其发光功率高、波长较长、易于衍射，穿透云雾的能力强的特点，被广泛 应用在测距、定向、夜视、空间通讯等领域，得到了越来越多的发展。 发光二极管的核心部分为其外延结构，将某种材料做成的衬底放在外延炉里，通入一定的气体化合物，在高温下，发生热解反应，生成ni-v或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出厚度仅几微米的化合物半导体外延层，即是我们所说的外延结构。 例如，图1示出现有的940nmGaAs红外大功率发光二极管的外延结构。详细地说，在衬片层101的上面自下而上地依次形成有N+GaAs衬底102、 N-GaAs缓冲层103、N-AlGaAs/GaAs布拉格反射(DBR，即Distributed BraggRef lector)层104、AlGaAs/InGaAs量子阱有源层105和P+GaAs帽层106。 对于这样的外延结构来说，当实际使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，　　在衬片层的上面自下而上地形成有Ｎ＋ＧａＡｓ衬底、Ｎ－ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ布拉格反射层、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子阱有源层、Ｐ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ布拉格反射层和Ｐ＋ＧａＡｓ帽层。

【技术特征摘要】
一种发光二极管，其特征在于，在衬片层的上面自下而上地形成有N+GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs/GaAs布拉格反射层、AlGaAs/InGaAs量子阱有源层、P-AlGaAs/GaAs布拉格反射层和P+GaAs帽层。2. 如权利要求l所述的发光二极管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜滨，吉爱华，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]