【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
众所周知，目前作为氮化物半导体发光元件使用单面双电极结构，其为在绝缘性蓝宝石衬底上将n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体 层等叠层，在这种叠层结构上配置p侧电极及n侧电极。但是，这种单面双 电极结构的氮化物半导体发光元件，由于不是在芯片上下对称的位置上形成 双电极的结构，因而存在发光强度在面内不均匀，发光集中在p侧电极或n 側电极等问题。另外，由于这种问题的存在，还导致出现难以实现芯片的大 型化以及因老化而容易劣化等问题。而且，在单侧表面具有双电极，因而存 在焊盘电极相对芯片表面积所占的比例加大，难以将芯片微型化的问题。为了解决上述问题，例如在(日本)特开2001 -244503号公报中，提 出了关于氮化物半导体发光元件的制造方法以及通过该制造方法得到的、具 有上下电极结构的氮化物半导体发光元件的技术方案，其中，所述氮化物半 导体发光元件的制造方法包括在村底上，使由氮化镓系半导体构成的n层、 氮化镓系半导体活性层以及由氮化镓系半导体构成的p层依次生长的步骤； 在该p层上，依次形成例如Ni-Pt电极等p侧欧姆电极及由Au-...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括： 由电介体构成的反射层、透明导电层、ｐ型氮化物半导体层、发光层及ｎ型氮化物半导体层。
【技术特征摘要】
JP 2008-8-5 201971/081.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层及n型氮化物半导体层。2. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括 支承衬底、由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层及n型氮化物半导体层。3. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述透明导电层由导电性金属氧化物构成。4. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述透明导电层由n型氮化物半导体构成。5. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 由所述电介体构成的反射层具有高折射率电介体构成的层与低折射率电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。6. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，100%的反射率。7. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 由所述p型氮化物半导体层、所述发光层及所述n型氮化物半导体层构成的氮化物半导体层的表面当中，形成有由所述电介体构成的反射层的一侧 的表面是平坦的。8. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 由所述p型氮化物半导体层、所述发光层及所述n型氮化物半导体层构成的氮化物半导体层的表面当中，与形成有由所述电介体构成的反射层的一 侧相反的 一侧的表面具有凹凸形状。9. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述透明导电层在与厚度方向垂直的方向上的长度比所述p型氮化物半导体层在与厚度方向垂直的方向上的长度短；由所述电介体构成的反射层，与所述透明导电层的两侧面相接，并与所 述透明导电层的由所述电介体构成的反射层一侧的表面相接，并且，与所述P型氮化物半导体层的所述透明导电层一侧的部分表面、即不与所述透明导 电层相接的表面相接。10. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，由所述电介体构成的反射层在所述透明导电层的正下方的区域中具有 在厚度方向上贯通的贯通口 。11. 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述p型氮化物半导体层具有与所述透明导电层相接而形成的电流阻隔区域。12. 如权利要求11所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于， 由所述电介体构成的反射层在所述透明导电层的正下方的区域中具有在厚度...
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