【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光设备，更具体地说，涉及具有改进电极构造的发光设备。电极构造 的各种设置与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大光提取(light extraction)并 降低发光设备的工作电压。
技术介绍
将电流转换为光的发光二极管(LED)，是现今最重要的固态发光设备之一。LED通 常包括位于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层。将驱动电流施加到电连接到P型 半导体层的P型电触点，并且将其施加到电连接到N型半导体层的N型电触点。因此，P型 半导体层和N型半导体层分别将空穴(hole)和电子排出到发光层。空穴和电子在发光层 内组合，由此发光。在全部方向上从发光层发出光，然后光离开LED的表面。增大LED的尺寸及发光面积是提高LED发光效率及发光强度的方法之一。然而， 对于常规的基于氮化物的LED，因为电流不能从电触点开始在整个发光层上均勻地扩散，所 以对尺寸的增大会受到限制。例如，因为P型基于氮化物的半导体层具有相对较低的导电 率，所以施加到P型电触点的电流的扩散会限于位于P型电触点下方的P型基于氮化物的 半导体层的特定区域。电流不能在整个P型基于氮化物的...
【技术保护点】
一种发光设备，该发光设备包括：第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极图案层；以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。
【技术特征摘要】
US 2009-5-27 12/472,809一种发光设备，该发光设备包括第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极图案层；以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述 第一电极图案层包括N型电极图案，并且其中，所述第二半导体层包括P型半导体层，所述 第二电极图案层包括P型电极图案。3.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一半导体层包括P型半导体层，所述 第一电极图案层包括P型电极图案，并且其中，所述第二半导体层包括N型半导体层，所述 第二电极图案层包括N型电极图案。4.根据权利要求1所述的发光设备，该发光设备还包括位于所述第一半导体层及所述 第二半导体层中的一个半导体层上的透明导电氧化物层，该透明导电氧化物层的厚度小于 1000 埃。5.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中 的所述一个半导体层包括P型半导体层。6.根据权利要求4所述的发光设备，该发光设备还包括位于所述透明导电氧化物层与 所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层之间的介电层，该介电层具 有位于所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层上的所述电极图案 的形状，但是覆盖比所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层上的所 述电极图案层更大的区域。7.根据权利要求6所述的发光设备，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中 的所述一个半导体层包括P型半导体层，并且其中，所述第一半导体层及所述第二半导体 层中的所述一个半导体层上的所述电极图案层包括P型电极图案层。8.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述透明导电氧化物层的厚度为大约600埃。9.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述透明导电氧化物层包括ITO层。10.根据权利要求9所述的发光设备，其中，所述ITO层的厚度为大约600埃。11.根据权利要求1所述的发光设备，该发光设备还包括衬底，其中，所述第一半导体 层及所述第二半导体层中的一个半导体层位于所述衬底上，所述第一半导体层及所述第二 半导体层中的一个半导体层包括N型半导体层。12.根据权利要求1所述的发光设备，其中，从以下构造所组成的组中选择所述电极 主体及所述多个分支电极的构造梳状构造，其中，所述多个分支电极形成直线；鱼骨状构 造，其中，所述多个分支电极形成倾斜角在45到135度的倾斜直线；以及护栏状构造，其中， 所述多个分支电极通过位于与所述电极主体相对的末端处的公共电极而连接。13.根据权利要求1所述的发光设备，其中，从以下形状所组成的组中选择所述各个分 支电极的形状T形形状、曲线形状、复合曲线形状、以及由直线部分与曲线部分组成的形 状。14.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一电极图案层及所述第二电极图案 层包括金属。15.根据权利要求14所述的发光设备，其中，所述金属的反射率大于60%。16.根据权利要求14所述的发光设备，其中，所述金属包括铝或银。17.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一电极图案层包括电极主体和多个 分支电极，所述多个分支电极形成在沿所述第一电极图案层的电极主体的长度的各个位置 并且向所述第二电极图案层延伸，并且其中，所述第一电极图案层及所述第二电极图案层 的所述多个分支电极具有相间交错关系。18.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中 的各个半导体层都包括镜像关系的一对子电极图案，其中，所述第二电极图案层的第一子 电极图案包括所述电极主体和所述多个分支电极，所述多个分支电极从所述电极主体向所 述第一电极图案层的第一子电极图案延伸，并且其中，所述第二电极图案层的第二子电极 图案包括电极主体和多个分支电极，所述多个分支电极从所述第二电极图案层的第二子电 极图案向所述第一电极图案层的第二子电极图案延伸。19.一种发光设备，该发光设备包括第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂芬D列斯特，林朝坤，
申请(专利权)人：普瑞光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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