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本实用新型提供一种发光二极管，其具体结构是，在衬片层的上面自下而上地形成有Ｎ＋ＧａＡｓ衬底、Ｎ－ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ布拉格反射层、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子阱有源层和Ｐ＋ＧａＡｓ帽层，在上述ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ...
该专利属于歌尔声学股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过歌尔声学股份有限公司授权不得商用。

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