氮化镓系化合物半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氮化镓系化合物半导体发光元件。
技术介绍
对于作为V族元素而具有氮(N)的氮化物半导体而言，由于其带隙的大小，有望被作为短波长发光元件的材料。其中，氮化镓系化合物半导体(GaN系半导体)的研究较为盛行，蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、以及以GaN系半导体为材料的半导体激光器已被实用化。氮化镓类半导体具有纤锌矿型结晶结构。图1示意性表示GaN的单位晶格。在 AlaGabIncN(0彡a、b、c彡1，a+b+c = 1)半导体的结晶中，图1所示的( 的一部分可被置换为Al和/或^1。图2表示为了以4指数表述(六方晶指数)来表示纤锌矿型结晶结构的面而普遍采用的四个基本向量 、a2、a3、c。基本向量c在W001]方向上延伸，该方向被称为“C轴”。 与c轴垂直的面(plane)被称为“c面”或者“(0001)面”。其中，“C轴”以及“C面”有时也分别被标记为“C轴”以及“C面”。如图3所示，在纤锌矿型结晶结构中，除了 c面以外还存在代表性的结晶面方位。 图3(a)表示(0001)面，图3(b)表示(10-10)面，图3 (c)表示(11-20)面，图3 (d)表示 (本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤亮，吉田俊治，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：