一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，包括步骤：提供一临时衬底，在其上外延生长氮化镓基发光外延层，并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括：n型层，发光层和p型层；在所述发光外延层上定义绝缘区，利用离子注入法将所述绝缘区的发光外延层钝化绝缘；在所述发光外延层上依次形成金属反射镜、金属键合层；提供一导电衬底，将其与临时衬底上的发光外延层键合；移除所述临时衬底，露出一发光外延层的表面；在所述露出的发光外延层表面上定义切割道，所述切割道位于绝缘区内，利用激光划片沿所述切割道将发光外延层分割为一系列单元，从导电衬底的背面劈裂形成芯粒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件的制作方法，更具体地是。
技术介绍
近年来，为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管的发光功率和效率，在传统水平结构GaN基发光二极管芯片技术的基础上， 发展了基于衬底转移的垂直结构GaN基发光二极管芯片技术，例如在蓝宝石衬底上外延沉积GaN基发光外延层，然后把发光外延层通过晶圆键合或电镀技术键合或者黏结到半导体基板或金属基板上，再把蓝宝石衬底用激光剥离、研磨或者蚀刻方式去除。这样一方面可以通过在GaN基发光外延层和基板之间加一个反射镜来提高反射率，另一方面由于GaN基材料的氮极性面容易通过化学腐蚀方法获取粗糙的出光面构造，以上两方面使垂直结构GaN基发光二极管具有更高的出光效率，同时衬底转移后的基板具有优良的导热特性，因此转移到散热基板上的垂直结构GaN基发光二极管在大电流应用上具有较大的优势。图I飞展示了一种传统垂直结构GaN基发光二极管元件制作过程，其制作方法具体如下 如图I所示，利用MOCVD在临时衬底100上(例如蓝宝石或碳化硅)上依次成长n型氮化镓基半导体层111，发光层112及p型氮化镓基半导体层113 ； 如图2所示，利用黄光微影技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，包括步骤：提供一临时衬底，在其上外延生长氮化镓基发光外延层，并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括：n型层，发光层和p型层；在所述发光外延层上定义绝缘区，利用离子注入法将所述绝缘区的发光外延层钝化绝缘；在所述发光外延层上依次形成金属反射镜、金属键合层；提供一导电衬底，将其与临时衬底上的发光外延层键合；移除所述临时衬底，露出一发光外延层的表面；在所述露出的发光外延层表面上定义切割道，所述切割道位于绝缘区内，利用激光划片沿所述切割道将发光外延层分割为一系列单元，从导电衬底的背面劈裂形成芯粒。

【技术特征摘要】
1.ー种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，包括步骤 提供一临时衬底，在其上外延生长氮化镓基发光外延层，并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括n型层，发光层和p型层； 在所述发光外延层上定义绝缘区，利用离子注入法将所述绝缘区的发光外延层钝化绝缘； 在所述发光外延层上依次形成金属反射镜、金属键合层； 提供一导电衬底，将其与临时衬底上的发光外延层键合； 移除所述临时衬底，露出ー发光外延层的表面； 在所述露出的发光外延层表面上定义切割道，所述切割道位于绝缘区内，利用激光划片沿所述切割道将发光外延层分割为ー系列単元，从导电衬底的背面劈裂形成芯粒。2.根据权利要求I所述的ー种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于所述临时衬底采用蓝宝石、碳化硅、硅、氮化铝、氮化镓其中的ー种或者组合。3.根据权利要求I所述的ー种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于利用离子注入法将所述绝缘区的n型层之上的发光外延层纯化...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄少华，曾晓强，吴志强，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：