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本发明公开了一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法,包括步骤:提供一临时衬底,在其上外延生长氮化镓基发光外延层,并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括:n型层,发光层和p型层;在所述发光外延层上定义绝缘区,利用离子注入法将所述绝缘区的发光外...该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法,包括步骤:提供一临时衬底,在其上外延生长氮化镓基发光外延层,并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括:n型层,发光层和p型层;在所述发光外延层上定义绝缘区,利用离子注入法将所述绝缘区的发光外...