第Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法技术

提供一种用于制造具有面朝上构造的第ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括ｐ型层和由ＩＴＯ组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的ｐ焊盘电极和ｎ型层上的ｎ电极。ｐ焊盘电极和ｎ电极由镍／金组成。将所产生的结构在５７０℃进行热处理从而能够在ｐ焊盘电极和ｎ电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨ｐ焊盘电极下方的区域，该区域与ｐ型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与ｐ型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，该方法的特征在于 P焊盘(pad)电极和η电极的形成方式。
技术介绍
常规的具有面朝上(i^ce-up)构造的第III族氮化物半导体发光器件包括由不同材料组成的P焊盘电极和η电极。在制造这种发光器件时，先形成P焊盘电极然后形成η 电极。可选地，还有一种同时形成ρ焊盘电极和η电极的方法，在日本未经审查的专利申请公报2007-158262号中公开了该方法。在该方法中在ρ型层和η型层上同时形成由镍 /金组成的金属薄膜；对所产生的结构进行热处理；在该金属薄膜上同时形成由钛/金组成的P焊盘电极和η电极；并且再次对所产生的结构进行热处理。使用该方法，镍被扩散到η 型层内并且因此能够减小η型层与η电极之间的接触电阻。另外，同时形成P焊盘电极和 η电极并且因此能够简化制造步骤。由于ρ焊盘电极不允许光通过，因此希望将具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件制造为使得活性层(active layer)处于ρ焊盘电极正下方的区域不发光，由此提高发光器件的发光效率。例如日本未经审查的专利申请公报10-2四219号、10-144962 号和2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造具有面朝上构造的第Ⅲ族氮化物半导体发光器件的方法，所述发光器件包括：ｐ型层、包含氧化物并且形成于所述ｐ型层上的透明电极、包含镍／金并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件的表面侧的ｐ焊盘电极、以及包含镍／金并且形成于所述发光器件的所述表面侧的ｎ电极；所述方法包括同时形成所述ｐ焊盘电极和所述ｎ电极的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：破田野贵司，神谷真央，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]