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提供一种用于制造具有面朝上构造的第ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括ｐ型层和由ＩＴＯ组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的ｐ焊盘电极和ｎ型层上的ｎ电极。ｐ焊盘电极和ｎ电极由镍／金组成。将所产生的结构在５７０℃进行热处...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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