发光器件封装及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光器件封装及其制造方法。根据本发明专利技术的发光器件封装包括：在衬底中形成的沟槽；在所述衬底中的所述沟槽的第一区域上直接生长的发光结构；在所述衬底上的电极；连接所述电极和所述发光结构的引线键合；和填充所述沟槽的填料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。技术背景 发光器件(Light Emitting Device :LED)包括将电能转换为光能的p_n结二极 管。所述p-n结二极管可以通过将化学元素周期表的III族元素和V族元素结合而形成。 LED可以通过调节化合物半导体的组成而产生多种色彩。在发光器件被施加正向电压时，η层的电子和ρ层的空穴彼此复合，使得p-n结二 极管发射相当于导带和价带之间的能隙的能量。该能量主要以热或光的形式释放。将能量 以光的形式发射的是LED。例如，由于氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光器件和高输 出电子器件的开发领域中氮化物半导体越来越受到关注。特别是，利用氮化物半导体的发 光器件比如蓝色发光器件、绿色发光器件、和紫外线(UV)发光器件等已被商用化并被广泛 地使用。同时，根据常规技术，将以下工艺应用到发光器件封装。在衬底上制造发光器件。 通过作为切出(sawing)工艺的一种的芯片分离(dieseparation)，从发光器件芯片分离出 发光器件芯片。然后，将发光器件芯片芯片键合(die bonding)到封装体。随后，进行引线 键合(wirebonding)工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：在衬底中形成的沟槽；在所述沟槽内的衬底表面的一部分上直接生长的发光结构；在所述衬底上的电极；和连接所述电极和所述发光结构的引线键合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金泰润，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]